| Título : |
Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications |
| Tipo de documento: |
documento electrónico |
| Autores: |
Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita, |
| Mención de edición: |
1 ed. |
| Editorial: |
Singapore [Malasya] : Springer |
| Fecha de publicación: |
2021 |
| Número de páginas: |
VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. |
| ISBN/ISSN/DL: |
978-981-1569128-- |
| Nota general: |
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. |
| Palabras clave: |
Magnetismo Materiales ópticos Circuitos electrónicos Análisis de espectro Materia Condensada Circuitos y sistemas electrónicos Espectroscopia Física de la Materia Condensada |
| Índice Dewey: |
538 Magnetismo |
| Resumen: |
Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. |
| Nota de contenido: |
Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications [documento electrónico] / Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita, . - 1 ed. . - Singapore [Malasya] : Springer, 2021 . - VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-1569128-- Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
| Palabras clave: |
Magnetismo Materiales ópticos Circuitos electrónicos Análisis de espectro Materia Condensada Circuitos y sistemas electrónicos Espectroscopia Física de la Materia Condensada |
| Índice Dewey: |
538 Magnetismo |
| Resumen: |
Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. |
| Nota de contenido: |
Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
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Emerging Non-volatile Memory Technologies
