| Número de páginas: |
XVIII, 211 p. 88 ilustraciones, 52 ilustraciones en color. |
| Resumen: |
Este trabajo investiga la alineación del nivel de energía de sistemas híbridos inorgánicos/orgánicos (HIOS) que comprenden ZnO como principal semiconductor inorgánico. Además de ofrecer información esencial, la tesis demuestra el ajuste de la alineación del nivel de energía de HIOS dentro de un rango de energía sin precedentes. Se introducen (sub)monocapas de donantes y aceptores moleculares orgánicos como una capa intermedia para modificar los niveles de energía de la interfaz HIOS. Al estudiar numerosos HIOS con diferentes propiedades, el autor obtiene conocimientos sistemáticos generalmente válidos sobre los procesos fundamentales en funcionamiento. Además de los niveles de fijación molecular, identifica que la flexión de bandas inducida por la adsorción y la densidad de estados de estado de brecha desempeñan un papel crucial en la alineación del nivel de energía modificado entre capas, sentando así las bases para controlar racionalmente las propiedades electrónicas de la interfaz HIOS. La tesis también presenta descripciones cuantitativas de muchos aspectos de los procesos, abriendo la puerta a interfaces HIOS innovadoras y a futuras aplicaciones de ZnO en dispositivos electrónicos. . |
Energy-Level Control at Hybrid Inorganic/Organic Semiconductor Interfaces
