| Título : |
Basic Semiconductor Physics |
| Tipo de documento: |
documento electrónico |
| Autores: |
Hamaguchi, Chihiro, Autor |
| Mención de edición: |
3 ed. |
| Editorial: |
[s.l.] : Springer |
| Fecha de publicación: |
2017 |
| Número de páginas: |
XXI, 709 p. 315 ilustraciones |
| ISBN/ISSN/DL: |
978-3-319-66860-4 |
| Nota general: |
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. |
| Palabras clave: |
Semiconductores Material Electrónica Materiales ópticos Caracterización y Técnica Analítica Electrónica y Microelectrónica Instrumentación |
| Índice Dewey: |
537.622 |
| Resumen: |
Este libro presenta una descripción detallada de la física básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energía en la región de banda completa: pseudopotencial empírico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energía y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la física de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la física de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energía en zona de banda completa con interacción espín-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energía. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores típicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . |
| Nota de contenido: |
Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
Basic Semiconductor Physics [documento electrónico] / Hamaguchi, Chihiro, Autor . - 3 ed. . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XXI, 709 p. 315 ilustraciones. ISBN : 978-3-319-66860-4 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
| Palabras clave: |
Semiconductores Material Electrónica Materiales ópticos Caracterización y Técnica Analítica Electrónica y Microelectrónica Instrumentación |
| Índice Dewey: |
537.622 |
| Resumen: |
Este libro presenta una descripción detallada de la física básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energía en la región de banda completa: pseudopotencial empírico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energía y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la física de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la física de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energía en zona de banda completa con interacción espín-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energía. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores típicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . |
| Nota de contenido: |
Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
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