Título :	Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets
Tipo de documento:	documento electrónico
Autores:	Pampillón Arce, María Ángela, Autor
Mención de edición:	1 ed.
Editorial:	[s.l.] : Springer
Fecha de publicación:	2017
Número de páginas:	XXIII, 164 p. 116 ilustraciones, 6 ilustraciones en color.
ISBN/ISSN/DL:	978-3-319-66607-5
Nota general:	Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave:	Superficies (Física)  Nanotecnología  Circuitos electrónicos  Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Superficie e interfaz y película delgada  Circuitos y sistemas electrónicos  Microsistemas y MEMS
Índice Dewey:	530.417
Resumen:	Esta tesis describe la fabricación de estructuras de metal-aislante-semiconductor (MIS) utilizando dieléctricos de muy alta permitividad (basados ​​en tierras raras) cultivados mediante pulverización catódica a alta presión a partir de objetivos metálicos. Demuestra la posibilidad de depositar materiales de alta permitividad (GdScO3) mediante pulverización catódica a alta presión de objetivos metálicos utilizando oxidación de plasma in situ sobre sustratos de Si y fosfato de indio (InP). La ventaja de este sistema es la alta presión de trabajo, que hace que las partículas sufran múltiples colisiones y se termalicen antes de llegar al sustrato en un proceso de difusión pura, protegiendo así la superficie del semiconductor de daños. Este trabajo presenta una fabricación única utilizando objetivos metálicos y que implica un proceso de deposición de dos pasos: se pulveriza una fina película metálica en una atmósfera de Ar y luego esta película se oxida con plasma in situ. También demuestra la fabricación de GdScO3 sobre Si con un valor de permitividad superior a 30 a partir de objetivos metálicos de Gd y Sc. Como no era posible la co-sputtering, se depositó y recoció un nanolaminado de estos materiales. Las propiedades eléctricas de estos dispositivos muestran que el material es muy interesante desde el punto de vista de la integración microelectrónica.
Nota de contenido:	Introduction -- Fabrication Techniques -- Characterization Techniques -- Thermal Oxidation of Gd2o3 -- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3 -- Gadolinium Scandate -- Interface Scavenging -- Gd2o3 on Inp Substrates -- Conclusions and Future Work.
En línea:	https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
Link:	https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets [documento electrónico] / Pampillón Arce, María Ángela, Autor  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XXIII, 164 p. 116 ilustraciones, 6 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-319-66607-5
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.

Palabras clave:	Superficies (Física)  Nanotecnología  Circuitos electrónicos  Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Superficie e interfaz y película delgada  Circuitos y sistemas electrónicos  Microsistemas y MEMS
Índice Dewey:	530.417
Resumen:	Esta tesis describe la fabricación de estructuras de metal-aislante-semiconductor (MIS) utilizando dieléctricos de muy alta permitividad (basados ​​en tierras raras) cultivados mediante pulverización catódica a alta presión a partir de objetivos metálicos. Demuestra la posibilidad de depositar materiales de alta permitividad (GdScO3) mediante pulverización catódica a alta presión de objetivos metálicos utilizando oxidación de plasma in situ sobre sustratos de Si y fosfato de indio (InP). La ventaja de este sistema es la alta presión de trabajo, que hace que las partículas sufran múltiples colisiones y se termalicen antes de llegar al sustrato en un proceso de difusión pura, protegiendo así la superficie del semiconductor de daños. Este trabajo presenta una fabricación única utilizando objetivos metálicos y que implica un proceso de deposición de dos pasos: se pulveriza una fina película metálica en una atmósfera de Ar y luego esta película se oxida con plasma in situ. También demuestra la fabricación de GdScO3 sobre Si con un valor de permitividad superior a 30 a partir de objetivos metálicos de Gd y Sc. Como no era posible la co-sputtering, se depositó y recoció un nanolaminado de estos materiales. Las propiedades eléctricas de estos dispositivos muestran que el material es muy interesante desde el punto de vista de la integración microelectrónica.
Nota de contenido:	Introduction -- Fabrication Techniques -- Characterization Techniques -- Thermal Oxidation of Gd2o3 -- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3 -- Gadolinium Scandate -- Interface Scavenging -- Gd2o3 on Inp Substrates -- Conclusions and Future Work.
En línea:	https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
Link:	https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i