Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions / Akiba, Kazuto  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions Tipo de documento: documento electrónico Autores: Akiba, Kazuto, Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasia] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XXIV, 147 p. 91 ilustraciones, 56 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-1371073-- Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Materiales ópticos  Superficies (Física)  Material  Materia Condensada  Superficie e interfaz y película delgada  Caracterización y Técnica Analítica  Física de la Materia Condensada Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro analiza las últimas investigaciones sobre la estructura electrónica de semiconductores de espacio estrecho en condiciones extremas y describe en detalle la medición del campo magnético y la presión utilizando dos monocristales de alta calidad: fósforo negro (BP) y telururo de plomo (PbTe). El libro presenta dos hallazgos importantes para BP y PbTe. El primero es la demostración exitosa de la transición inducida por la presión de semiconductor a semimetal en la estructura electrónica de BP mediante mediciones de magnetorresistencia. La segunda es la estimación cuantitativa de qué tan bien funciona la descripción del fermión de Dirac para las propiedades electrónicas del PbTe. Las descripciones generales de BP y PbTe desde el punto de vista de las propiedades de los materiales ayudan a los lectores a aprender rápidamente los caracteres electrónicos típicos de los materiales semiconductores de espacio estrecho, que recientemente han despertado interés en las características topológicas de la física de la materia condensada. Además, la revisión introductoria de los principios y la metodología permite a los lectores comprender fácilmente los experimentos de alta presión y campo magnético. Nota de contenido: General Introduction -- Experimental Methods -- Black Phosphorus -- Lead Telluride -- Concluding Remarks. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurement using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents two significant findings for BP and PbTe. The first is the successful demonstration of the pressure-induced transition from semiconductor to semimetal in the electronic structure of BP using magnetoresistance measurements. The second is the quantitative estimation of how well the Dirac fermion description works for electronic properties in PbTe. The overviews on BP and PbTe from the point of view of material properties help readers quickly learn typical electronic characters of narrow-gap semiconductor materials, which have recently attract interest in topological features in condensed matter physics. Additionally the introductory review of the principles and methodology allows readers to easily understand the high magnetic field and pressure experiments. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions [documento electrónico] / Akiba, Kazuto,  . -  1 ed.  . - Singapore [Malasia] : Springer, 2019 . - XXIV, 147 p. 91 ilustraciones, 56 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-1371073-- Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Materiales ópticos  Superficies (Física)  Material  Materia Condensada  Superficie e interfaz y película delgada  Caracterización y Técnica Analítica  Física de la Materia Condensada Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro analiza las últimas investigaciones sobre la estructura electrónica de semiconductores de espacio estrecho en condiciones extremas y describe en detalle la medición del campo magnético y la presión utilizando dos monocristales de alta calidad: fósforo negro (BP) y telururo de plomo (PbTe). El libro presenta dos hallazgos importantes para BP y PbTe. El primero es la demostración exitosa de la transición inducida por la presión de semiconductor a semimetal en la estructura electrónica de BP mediante mediciones de magnetorresistencia. La segunda es la estimación cuantitativa de qué tan bien funciona la descripción del fermión de Dirac para las propiedades electrónicas del PbTe. Las descripciones generales de BP y PbTe desde el punto de vista de las propiedades de los materiales ayudan a los lectores a aprender rápidamente los caracteres electrónicos típicos de los materiales semiconductores de espacio estrecho, que recientemente han despertado interés en las características topológicas de la física de la materia condensada. Además, la revisión introductoria de los principios y la metodología permite a los lectores comprender fácilmente los experimentos de alta presión y campo magnético. Nota de contenido: General Introduction -- Experimental Methods -- Black Phosphorus -- Lead Telluride -- Concluding Remarks. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurement using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents two significant findings for BP and PbTe. The first is the successful demonstration of the pressure-induced transition from semiconductor to semimetal in the electronic structure of BP using magnetoresistance measurements. The second is the quantitative estimation of how well the Dirac fermion description works for electronic properties in PbTe. The overviews on BP and PbTe from the point of view of material properties help readers quickly learn typical electronic characters of narrow-gap semiconductor materials, which have recently attract interest in topological features in condensed matter physics. Additionally the introductory review of the principles and methodology allows readers to easily understand the high magnetic field and pressure experiments. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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