Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, ; Mohammadi, Hossein, ; Hosseinghadiry, Mahdiar, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-04513-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Electrónica  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications. Describes the evolution of MESFET in the semiconductor industry; Discusses challenges and solutions associated with downscaling; Provides comprehensive information on the structure and operation of silicon MESFETs. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, ; Mohammadi, Hossein, ; Hosseinghadiry, Mahdiar,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-04513-5 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Electrónica  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications. Describes the evolution of MESFET in the semiconductor industry; Discusses challenges and solutions associated with downscaling; Provides comprehensive information on the structure and operation of silicon MESFETs. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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