Autor Romano, Vittorio
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TÃtulo : Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures : The Maximum Entropy Approach Tipo de documento: documento electrónico Autores: Camiola, Vito Dario, Autor ; Mascali, Giovanni, Autor ; Romano, Vittorio, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2020 Número de páginas: XVI, 337 p. 83 ilustraciones, 23 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-35993-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: FÃsica matemática Matemáticas de ingenierÃa IngenierÃa NanotecnologÃa FÃsica Teórica Matemática y Computacional Aplicaciones de ingenierÃa matemática y computacional Ãndice Dewey: 530.15 Física matemática Resumen: Este libro ofrece, tanto desde una perspectiva teórica como computacional, un análisis de modelos matemáticos macroscópicos para la descripción del transporte de carga en dispositivos electrónicos, en particular en presencia de efectos de confinamiento, como en el MOSFET de doble puerta. Los modelos se derivan de la ecuación semiclásica de Boltzmann mediante el método del momento y se cierran recurriendo al principio de máxima entropÃa. En el caso del confinamiento, los electrones se tratan como ondas en la dirección de confinamiento resolviendo una ecuación de Schrödinger unidimensional obteniendo subbandas, mientras que el transporte longitudinal de electrones de subbanda se describe de forma semiclásica. También se obtienen modelos limitantes de transporte de energÃa y difusión por deriva mediante el uso de procedimientos de escala adecuados. Un capÃtulo completo del libro está dedicado a un nuevo material prometedor como el grafeno. Los modelos parecen ser sólidos y suficientemente precisos para su uso sistemático en simuladores de diseño asistido por computadora para dispositivos electrónicos complejos. El libro está dirigido a matemáticos aplicados, fÃsicos e ingenieros electrónicos. Está escrito para lectores de posgrado o doctorado, pero el capÃtulo inicial contiene un mÃnimo de fÃsica de semiconductores, lo que lo hace coherente y útil también para estudiantes de pregrado. Nota de contenido: Band Structure and Boltzmann Equation -- Maximum Entropy Principle -- Application of MEP to Charge Transport in Semiconductors -- Application of MEP to Silicon -- Some Formal Properties of the Hydrodynamical Model -- Quantum Corrections to the Semiclassical Models -- Mathematical Models for the Double-Gate MOSFET -- Numerical Method and Simulations -- Application of MEP to Charge Transport in Graphene. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures : The Maximum Entropy Approach [documento electrónico] / Camiola, Vito Dario, Autor ; Mascali, Giovanni, Autor ; Romano, Vittorio, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2020 . - XVI, 337 p. 83 ilustraciones, 23 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-35993-5
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: FÃsica matemática Matemáticas de ingenierÃa IngenierÃa NanotecnologÃa FÃsica Teórica Matemática y Computacional Aplicaciones de ingenierÃa matemática y computacional Ãndice Dewey: 530.15 Física matemática Resumen: Este libro ofrece, tanto desde una perspectiva teórica como computacional, un análisis de modelos matemáticos macroscópicos para la descripción del transporte de carga en dispositivos electrónicos, en particular en presencia de efectos de confinamiento, como en el MOSFET de doble puerta. Los modelos se derivan de la ecuación semiclásica de Boltzmann mediante el método del momento y se cierran recurriendo al principio de máxima entropÃa. En el caso del confinamiento, los electrones se tratan como ondas en la dirección de confinamiento resolviendo una ecuación de Schrödinger unidimensional obteniendo subbandas, mientras que el transporte longitudinal de electrones de subbanda se describe de forma semiclásica. También se obtienen modelos limitantes de transporte de energÃa y difusión por deriva mediante el uso de procedimientos de escala adecuados. Un capÃtulo completo del libro está dedicado a un nuevo material prometedor como el grafeno. Los modelos parecen ser sólidos y suficientemente precisos para su uso sistemático en simuladores de diseño asistido por computadora para dispositivos electrónicos complejos. El libro está dirigido a matemáticos aplicados, fÃsicos e ingenieros electrónicos. Está escrito para lectores de posgrado o doctorado, pero el capÃtulo inicial contiene un mÃnimo de fÃsica de semiconductores, lo que lo hace coherente y útil también para estudiantes de pregrado. Nota de contenido: Band Structure and Boltzmann Equation -- Maximum Entropy Principle -- Application of MEP to Charge Transport in Semiconductors -- Application of MEP to Silicon -- Some Formal Properties of the Hydrodynamical Model -- Quantum Corrections to the Semiclassical Models -- Mathematical Models for the Double-Gate MOSFET -- Numerical Method and Simulations -- Application of MEP to Charge Transport in Graphene. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
TÃtulo : Scientific Computing in Electrical Engineering : SCEE 2018, Taormina, Italy, September 2018 Tipo de documento: documento electrónico Autores: Nicosia, Giuseppe, ; Romano, Vittorio, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2020 Número de páginas: XVI, 288 p. 108 ilustraciones, 97 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-44101-2 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Modelos matemáticos Matemáticas Magnetismo Circuitos electrónicos Electrónica Modelización Matemática y Matemática Industrial Ciencias e IngenierÃa Computacional Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Ãndice Dewey: 003 Teoría general de Sistemas Resumen: Esta colección de artÃculos seleccionados presentados en la 12.ª Conferencia Internacional sobre Computación CientÃfica en IngenierÃa Eléctrica, SCEE 2018, celebrada en Taormina, Sicilia, Italia, en septiembre de 2018, muestra el estado del arte en SCEE. El objetivo de la conferencia SCEE 2018 fue reunir a cientÃficos de la academia y la industria, matemáticos, ingenieros eléctricos, informáticos y fÃsicos, y promover debates intensivos sobre problemas matemáticos relevantes para la industria, con énfasis en el modelado y la simulación numérica de circuitos electrónicos y de campos electromagnéticos. Este extenso trabajo de referencia se divide en cinco partes: Electromagnetismo computacional, Modelado y simulación de dispositivos, Simulación de circuitos, Métodos matemáticos y computacionales, Reducción del orden del modelo. Cada parte comienza con una introducción general, seguida de las respectivas contribuciones. El libro atraerá a matemáticos e ingenieros eléctricos. Además, presenta a los desarrolladores de algoritmos y programas los avances recientes en otros campos, mientras que a los expertos de la industria se les presentarán nuevas herramientas de programación y métodos matemáticos. Nota de contenido: Computational Electromagnetics -- Device Modeling and Simulation -- Circuit Simulation -- Mathematical and Computational Methods -- Model Order Reduction -- Index. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Scientific Computing in Electrical Engineering : SCEE 2018, Taormina, Italy, September 2018 [documento electrónico] / Nicosia, Giuseppe, ; Romano, Vittorio, . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2020 . - XVI, 288 p. 108 ilustraciones, 97 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-44101-2
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Modelos matemáticos Matemáticas Magnetismo Circuitos electrónicos Electrónica Modelización Matemática y Matemática Industrial Ciencias e IngenierÃa Computacional Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Ãndice Dewey: 003 Teoría general de Sistemas Resumen: Esta colección de artÃculos seleccionados presentados en la 12.ª Conferencia Internacional sobre Computación CientÃfica en IngenierÃa Eléctrica, SCEE 2018, celebrada en Taormina, Sicilia, Italia, en septiembre de 2018, muestra el estado del arte en SCEE. El objetivo de la conferencia SCEE 2018 fue reunir a cientÃficos de la academia y la industria, matemáticos, ingenieros eléctricos, informáticos y fÃsicos, y promover debates intensivos sobre problemas matemáticos relevantes para la industria, con énfasis en el modelado y la simulación numérica de circuitos electrónicos y de campos electromagnéticos. Este extenso trabajo de referencia se divide en cinco partes: Electromagnetismo computacional, Modelado y simulación de dispositivos, Simulación de circuitos, Métodos matemáticos y computacionales, Reducción del orden del modelo. Cada parte comienza con una introducción general, seguida de las respectivas contribuciones. El libro atraerá a matemáticos e ingenieros eléctricos. Además, presenta a los desarrolladores de algoritmos y programas los avances recientes en otros campos, mientras que a los expertos de la industria se les presentarán nuevas herramientas de programación y métodos matemáticos. Nota de contenido: Computational Electromagnetics -- Device Modeling and Simulation -- Circuit Simulation -- Mathematical and Computational Methods -- Model Order Reduction -- Index. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

