Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures / Camiola, Vito Dario  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures : The Maximum Entropy Approach Tipo de documento: documento electrónico Autores: Camiola, Vito Dario, ; Mascali, Giovanni, ; Romano, Vittorio, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2020 Número de páginas: XVI, 337 p. 83 ilustraciones, 23 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-35993-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Física matemática  Matemáticas de ingeniería  Ingeniería  Nanotecnología  Física Teórica  Matemática y Computacional  Aplicaciones de ingeniería matemática y computacional Clasificación: 530.15 Resumen: Este libro ofrece, tanto desde una perspectiva teórica como computacional, un análisis de modelos matemáticos macroscópicos para la descripción del transporte de carga en dispositivos electrónicos, en particular en presencia de efectos de confinamiento, como en el MOSFET de doble puerta. Los modelos se derivan de la ecuación semiclásica de Boltzmann mediante el método del momento y se cierran recurriendo al principio de máxima entropía. En el caso del confinamiento, los electrones se tratan como ondas en la dirección de confinamiento resolviendo una ecuación de Schrödinger unidimensional obteniendo subbandas, mientras que el transporte longitudinal de electrones de subbanda se describe de forma semiclásica. También se obtienen modelos limitantes de transporte de energía y difusión por deriva mediante el uso de procedimientos de escala adecuados. Un capítulo completo del libro está dedicado a un nuevo material prometedor como el grafeno. Los modelos parecen ser sólidos y suficientemente precisos para su uso sistemático en simuladores de diseño asistido por computadora para dispositivos electrónicos complejos. El libro está dirigido a matemáticos aplicados, físicos e ingenieros electrónicos. Está escrito para lectores de posgrado o doctorado, pero el capítulo inicial contiene un mínimo de física de semiconductores, lo que lo hace coherente y útil también para estudiantes de pregrado. Nota de contenido: Band Structure and Boltzmann Equation -- Maximum Entropy Principle -- Application of MEP to Charge Transport in Semiconductors -- Application of MEP to Silicon -- Some Formal Properties of the Hydrodynamical Model -- Quantum Corrections to the Semiclassical Models -- Mathematical Models for the Double-Gate MOSFET -- Numerical Method and Simulations -- Application of MEP to Charge Transport in Graphene. Tipo de medio : Computadora Summary : This book offers, from both a theoretical and a computational perspective, an analysis of macroscopic mathematical models for description of charge transport in electronic devices, in particular in the presence of confining effects, such as in the double gate MOSFET. The models are derived from the semiclassical Boltzmann equation by means of the moment method and are closed by resorting to the maximum entropy principle. In the case of confinement, electrons are treated as waves in the confining direction by solving a one-dimensional Schrödinger equation obtaining subbands, while the longitudinal transport of subband electrons is described semiclassically. Limiting energy-transport and drift-diffusion models are also obtained by using suitable scaling procedures. An entire chapter in the book is dedicated to a promising new material like graphene. The models appear to be sound and sufficiently accurate for systematic use in computer-aided design simulators for complex electron devices. The book is addressed to applied mathematicians, physicists, and electronic engineers. It is written for graduate or PhD readers but the opening chapter contains a modicum of semiconductor physics, making it self-consistent and useful also for undergraduate students. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures : The Maximum Entropy Approach [documento electrónico] / Camiola, Vito Dario, ; Mascali, Giovanni, ; Romano, Vittorio,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2020 . - XVI, 337 p. 83 ilustraciones, 23 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-35993-5 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Física matemática  Matemáticas de ingeniería  Ingeniería  Nanotecnología  Física Teórica  Matemática y Computacional  Aplicaciones de ingeniería matemática y computacional Clasificación: 530.15 Resumen: Este libro ofrece, tanto desde una perspectiva teórica como computacional, un análisis de modelos matemáticos macroscópicos para la descripción del transporte de carga en dispositivos electrónicos, en particular en presencia de efectos de confinamiento, como en el MOSFET de doble puerta. Los modelos se derivan de la ecuación semiclásica de Boltzmann mediante el método del momento y se cierran recurriendo al principio de máxima entropía. En el caso del confinamiento, los electrones se tratan como ondas en la dirección de confinamiento resolviendo una ecuación de Schrödinger unidimensional obteniendo subbandas, mientras que el transporte longitudinal de electrones de subbanda se describe de forma semiclásica. También se obtienen modelos limitantes de transporte de energía y difusión por deriva mediante el uso de procedimientos de escala adecuados. Un capítulo completo del libro está dedicado a un nuevo material prometedor como el grafeno. Los modelos parecen ser sólidos y suficientemente precisos para su uso sistemático en simuladores de diseño asistido por computadora para dispositivos electrónicos complejos. El libro está dirigido a matemáticos aplicados, físicos e ingenieros electrónicos. Está escrito para lectores de posgrado o doctorado, pero el capítulo inicial contiene un mínimo de física de semiconductores, lo que lo hace coherente y útil también para estudiantes de pregrado. Nota de contenido: Band Structure and Boltzmann Equation -- Maximum Entropy Principle -- Application of MEP to Charge Transport in Semiconductors -- Application of MEP to Silicon -- Some Formal Properties of the Hydrodynamical Model -- Quantum Corrections to the Semiclassical Models -- Mathematical Models for the Double-Gate MOSFET -- Numerical Method and Simulations -- Application of MEP to Charge Transport in Graphene. Tipo de medio : Computadora Summary : This book offers, from both a theoretical and a computational perspective, an analysis of macroscopic mathematical models for description of charge transport in electronic devices, in particular in the presence of confining effects, such as in the double gate MOSFET. The models are derived from the semiclassical Boltzmann equation by means of the moment method and are closed by resorting to the maximum entropy principle. In the case of confinement, electrons are treated as waves in the confining direction by solving a one-dimensional Schrödinger equation obtaining subbands, while the longitudinal transport of subband electrons is described semiclassically. Limiting energy-transport and drift-diffusion models are also obtained by using suitable scaling procedures. An entire chapter in the book is dedicated to a promising new material like graphene. The models appear to be sound and sufficiently accurate for systematic use in computer-aided design simulators for complex electron devices. The book is addressed to applied mathematicians, physicists, and electronic engineers. It is written for graduate or PhD readers but the opening chapter contains a modicum of semiconductor physics, making it self-consistent and useful also for undergraduate students. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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