| Título : |
CMOS Analog IC Design for 5G and Beyond |
| Tipo de documento: |
documento electrónico |
| Autores: |
Singh, Sangeeta, ; Arya, Rajeev, ; Singh, M. P., ; Iyer, Brijesh, |
| Mención de edición: |
1 ed. |
| Editorial: |
Singapore [Malasya] : Springer |
| Fecha de publicación: |
2021 |
| Número de páginas: |
X, 155 p. 17 ilustraciones |
| ISBN/ISSN/DL: |
978-981-1598654-- |
| Nota general: |
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. |
| Palabras clave: |
Sistemas de comunicación inalámbrica Sistemas de comunicación móviles Telecomunicación Red informática Informática móvil Electric power production Comunicación inalámbrica y móvil Ingeniería en Comunicaciones Redes Seguridad móvil y de red Ingeniería de Energía Eléctrica |
| Índice Dewey: |
621.384 Radio y radar |
| Resumen: |
Este libro se centra en abordar los diseños de circuitos integrados analógicos basados en FinFET para redes de comunicación de banda E y 5G. Además, también incorpora algunos de los desarrollos contemporáneos en diferentes campos. Destaca los últimos avances, problemas y desafíos y presenta los últimos resultados de investigación en el campo del diseño de circuitos integrados de ondas milimétricas basados en la literatura científica y su realización práctica. Los enfoques tradicionales están excluidos en este libro. Los autores cubren varias pautas de diseño que se deben tener en cuenta al diseñar estos circuitos y los efectos de escala perjudiciales en los mismos. Además, también se informa que los nitruros de galio (GaN) muestran un enorme potencial para el diseño de amplificadores de potencia requeridos en la red de comunicación 5G. Posteriormente, para mejorar la legibilidad de este libro, los autores también incluyen problemas en tiempo real en el diseño de RFIC, estudios de casos a partir de resultados experimentales y pautas de diseño claramente demarcadas para el diseño de circuitos integrados de comunicación 5G. Este libro incorpora la arquitectura FinFET más reciente para el diseño de circuitos integrados analógicos y los efectos de escala junto con la tecnología GaN. |
| Nota de contenido: |
Introduction to 5G Telecommunication Network -- Various Aspects of MOSFET Technology for 5G Communications -- CMOS Scaled Architecture and Circuit Choices for 5G -- Low Noise Amplifiers Designing -- Receiver Architectures for 5G: Current Status and Future Prospects -- LC VCOs for 5G Networks -- Mm-wave CMOS Power Amplifiers for 5G -- Techniques to Improve Gain-Bandwidth 5G ICs -- GaN-based Technology for 5G Applications. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
CMOS Analog IC Design for 5G and Beyond [documento electrónico] / Singh, Sangeeta, ; Arya, Rajeev, ; Singh, M. P., ; Iyer, Brijesh, . - 1 ed. . - Singapore [Malasya] : Springer, 2021 . - X, 155 p. 17 ilustraciones. ISBN : 978-981-1598654-- Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
| Palabras clave: |
Sistemas de comunicación inalámbrica Sistemas de comunicación móviles Telecomunicación Red informática Informática móvil Electric power production Comunicación inalámbrica y móvil Ingeniería en Comunicaciones Redes Seguridad móvil y de red Ingeniería de Energía Eléctrica |
| Índice Dewey: |
621.384 Radio y radar |
| Resumen: |
Este libro se centra en abordar los diseños de circuitos integrados analógicos basados en FinFET para redes de comunicación de banda E y 5G. Además, también incorpora algunos de los desarrollos contemporáneos en diferentes campos. Destaca los últimos avances, problemas y desafíos y presenta los últimos resultados de investigación en el campo del diseño de circuitos integrados de ondas milimétricas basados en la literatura científica y su realización práctica. Los enfoques tradicionales están excluidos en este libro. Los autores cubren varias pautas de diseño que se deben tener en cuenta al diseñar estos circuitos y los efectos de escala perjudiciales en los mismos. Además, también se informa que los nitruros de galio (GaN) muestran un enorme potencial para el diseño de amplificadores de potencia requeridos en la red de comunicación 5G. Posteriormente, para mejorar la legibilidad de este libro, los autores también incluyen problemas en tiempo real en el diseño de RFIC, estudios de casos a partir de resultados experimentales y pautas de diseño claramente demarcadas para el diseño de circuitos integrados de comunicación 5G. Este libro incorpora la arquitectura FinFET más reciente para el diseño de circuitos integrados analógicos y los efectos de escala junto con la tecnología GaN. |
| Nota de contenido: |
Introduction to 5G Telecommunication Network -- Various Aspects of MOSFET Technology for 5G Communications -- CMOS Scaled Architecture and Circuit Choices for 5G -- Low Noise Amplifiers Designing -- Receiver Architectures for 5G: Current Status and Future Prospects -- LC VCOs for 5G Networks -- Mm-wave CMOS Power Amplifiers for 5G -- Techniques to Improve Gain-Bandwidth 5G ICs -- GaN-based Technology for 5G Applications. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
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