Basic Semiconductor Physics / Hamaguchi, Chihiro  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Basic Semiconductor Physics Tipo de documento: documento electrónico Autores: Hamaguchi, Chihiro, Mención de edición: 3 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: XXI, 709 p. 315 ilustraciones ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-66860-4 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Material  Electrónica  Materiales ópticos  Caracterización y Técnica Analítica  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta una descripción detallada de la física básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energía en la región de banda completa: pseudopotencial empírico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energía y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la física de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la física de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energía en zona de banda completa con interacción espín-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energía. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores típicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . Nota de contenido: Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed. Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed. Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers. In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are very important materials for the blue light emission, and high power devic es with and high frequency. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Basic Semiconductor Physics [documento electrónico] / Hamaguchi, Chihiro,  . -  3 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XXI, 709 p. 315 ilustraciones. ISBN : 978-3-319-66860-4 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Material  Electrónica  Materiales ópticos  Caracterización y Técnica Analítica  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta una descripción detallada de la física básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energía en la región de banda completa: pseudopotencial empírico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energía y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la física de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la física de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energía en zona de banda completa con interacción espín-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energía. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores típicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . Nota de contenido: Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed. Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed. Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers. In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are very important materials for the blue light emission, and high power devic es with and high frequency. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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