Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghadiry, Mahdiar, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasya] : Springer Fecha de publicación: 2018 Número de páginas: IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-10-6550-7 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Circuitos electrónicos  Nanotecnología  Microsistemas y MEMS  Circuitos y sistemas electrónicos Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados ​​en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados ​​en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghadiry, Mahdiar, Autor  . -  1 ed.  . - Singapore [Malasya] : Springer, 2018 . - IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-10-6550-7 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Circuitos electrónicos  Nanotecnología  Microsistemas y MEMS  Circuitos y sistemas electrónicos Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados ​​en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados ​​en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

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