Autor Amiri, Iraj Sadegh
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Título : Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghadiry, Mahdiar, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasya] : Springer Fecha de publicación: 2018 Número de páginas: IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-10-6550-7 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Microtecnología Sistemas micro electromecánicos Circuitos electrónicos Nanotecnología Microsistemas y MEMS Circuitos y sistemas electrónicos Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghadiry, Mahdiar, Autor . - 1 ed. . - Singapore [Malasya] : Springer, 2018 . - IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color.
ISBN : 978-981-10-6550-7
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Palabras clave: Microtecnología Sistemas micro electromecánicos Circuitos electrónicos Nanotecnología Microsistemas y MEMS Circuitos y sistemas electrónicos Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
Título : Design and Development of Optical Dispersion Characterization Systems Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghasemi, Masih, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: VIII, 71 p. 56 ilustraciones, 42 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-10585-3 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Procesamiento de la señal Circuitos electrónicos Electrónica Procesamiento de señales voz e imágenes Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Índice Dewey: 621.382 Ingeniería de comunicaciones Resumen: Este libro demuestra la implementación de un sistema de medición automatizado para una medición muy eficiente de la dispersión cromática, que utiliza un método de cambio de fase de modulación en largas distancias de fibra óptica monomodo. Los autores muestran cómo se adopta un nuevo esquema para medir la dispersión cromática junto con un láser sintonizable (TLS), que proporciona la potencia óptica en la longitud de onda requerida, y un osciloscopio digital (DOSC) para medir la diferencia de fase entre las señales de microondas del transmisor y las señales de microondas en El receptor. Este es un enfoque novedoso para la dispersión cromática en tiempo real en sistemas ópticos como las fibras ópticas. La configuración utilizada es muy simple, precisa y rentable, en comparación con otros métodos como la medición directa, el retardo de modo diferencial, la medición de dispersión en modo de polarización y el método de retardo de fase. Describe algoritmos para caracterizar y controlar aparatos ópticos; Introduce un nuevo sistema automatizado de caracterización de moduladores electroópticos con aplicación de microondas de conducción; Describe un nuevo algoritmo para la medición automatizada de la dispersión para diferentes longitudes de fibras; Proporciona análisis del sistema para mostrar los efectos de parámetros críticos, como las dimensiones, en la dispersión. Nota de contenido: Chapter 1. Concepts and fundamental theories of optical fiber dispersions -- Chapter 2. Single mode optical fiber dispersions and physics phenomenon involved -- Chapter 3. Study of optical fiber dispersion and measuring methods -- Chapter 4. Design and development of algorithm for auto-measurement voltage and temporal parameters of microwave signal -- Chapter 5. Device characterizations and chromatic dispersion measurement in optical fibers -- Chapter 6. Optical fiber dispersions and future contributions on electro-optic modulator system optimizations. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Design and Development of Optical Dispersion Characterization Systems [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ghasemi, Masih, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2019 . - VIII, 71 p. 56 ilustraciones, 42 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-10585-3
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Palabras clave: Procesamiento de la señal Circuitos electrónicos Electrónica Procesamiento de señales voz e imágenes Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Índice Dewey: 621.382 Ingeniería de comunicaciones Resumen: Este libro demuestra la implementación de un sistema de medición automatizado para una medición muy eficiente de la dispersión cromática, que utiliza un método de cambio de fase de modulación en largas distancias de fibra óptica monomodo. Los autores muestran cómo se adopta un nuevo esquema para medir la dispersión cromática junto con un láser sintonizable (TLS), que proporciona la potencia óptica en la longitud de onda requerida, y un osciloscopio digital (DOSC) para medir la diferencia de fase entre las señales de microondas del transmisor y las señales de microondas en El receptor. Este es un enfoque novedoso para la dispersión cromática en tiempo real en sistemas ópticos como las fibras ópticas. La configuración utilizada es muy simple, precisa y rentable, en comparación con otros métodos como la medición directa, el retardo de modo diferencial, la medición de dispersión en modo de polarización y el método de retardo de fase. Describe algoritmos para caracterizar y controlar aparatos ópticos; Introduce un nuevo sistema automatizado de caracterización de moduladores electroópticos con aplicación de microondas de conducción; Describe un nuevo algoritmo para la medición automatizada de la dispersión para diferentes longitudes de fibras; Proporciona análisis del sistema para mostrar los efectos de parámetros críticos, como las dimensiones, en la dispersión. Nota de contenido: Chapter 1. Concepts and fundamental theories of optical fiber dispersions -- Chapter 2. Single mode optical fiber dispersions and physics phenomenon involved -- Chapter 3. Study of optical fiber dispersion and measuring methods -- Chapter 4. Design and development of algorithm for auto-measurement voltage and temporal parameters of microwave signal -- Chapter 5. Device characterizations and chromatic dispersion measurement in optical fibers -- Chapter 6. Optical fiber dispersions and future contributions on electro-optic modulator system optimizations. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
Título : Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Mohammadi, Hossein, Autor ; Hosseinghadiry, Mahdiar, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-04513-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Circuitos electrónicos Electrónica Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Mohammadi, Hossein, Autor ; Hosseinghadiry, Mahdiar, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2019 . - IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-04513-5
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Circuitos electrónicos Electrónica Circuitos y sistemas electrónicos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
Título : The Impact of Service Oriented Architecture Adoption on Organizations Tipo de documento: documento electrónico Autores: Niknejad, Naghmeh, Autor ; Hussin, Ab Razak Che, Autor ; Amiri, Iraj Sadegh, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XIII, 115 p. 33 ilustraciones, 28 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-12100-6 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Circuitos electrónicos Microprocesadores Arquitectura de Computadores Gestión industrial Circuitos y sistemas electrónicos Arquitecturas de procesador Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro describe la arquitectura orientada a servicios (SOA) y los factores importantes que afectan su adopción, como la gobernanza, la estrategia, la complejidad, el retorno de la inversión (ROI), la alineación empresarial y de TI, la cultura y la comunicación, los costos y la seguridad. El estudio en el que se basa este libro implicó un análisis cuantitativo para investigar los factores influyentes para la adopción de SOA, allanando el camino para futuras investigaciones en el campo. Describe los diversos factores, como la seguridad, que influyen en la adopción de la arquitectura orientada a servicios (SOA) en muchas organizaciones. Investiga la relación entre los factores de adopción de SOA y el desempeño de las organizaciones. Desarrolla un nuevo marco de adopción de SOA para medir el efecto en el desempeño de la organización. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption -- Chapter 2. Literature Review Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Researches And The Related Significant Factors -- Chapter 3. Quantitative Research Methodology For Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption In Organizations -- Chapter 4. Developing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Framework And The Related Hypotheses -- Chapter 5. Analyzing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Responses By Smartpls Version 2 -- Chapter 6. Conclusion And Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Recommendations For Organizations. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i The Impact of Service Oriented Architecture Adoption on Organizations [documento electrónico] / Niknejad, Naghmeh, Autor ; Hussin, Ab Razak Che, Autor ; Amiri, Iraj Sadegh, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XIII, 115 p. 33 ilustraciones, 28 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-12100-6
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Palabras clave: Circuitos electrónicos Microprocesadores Arquitectura de Computadores Gestión industrial Circuitos y sistemas electrónicos Arquitecturas de procesador Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro describe la arquitectura orientada a servicios (SOA) y los factores importantes que afectan su adopción, como la gobernanza, la estrategia, la complejidad, el retorno de la inversión (ROI), la alineación empresarial y de TI, la cultura y la comunicación, los costos y la seguridad. El estudio en el que se basa este libro implicó un análisis cuantitativo para investigar los factores influyentes para la adopción de SOA, allanando el camino para futuras investigaciones en el campo. Describe los diversos factores, como la seguridad, que influyen en la adopción de la arquitectura orientada a servicios (SOA) en muchas organizaciones. Investiga la relación entre los factores de adopción de SOA y el desempeño de las organizaciones. Desarrolla un nuevo marco de adopción de SOA para medir el efecto en el desempeño de la organización. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption -- Chapter 2. Literature Review Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Researches And The Related Significant Factors -- Chapter 3. Quantitative Research Methodology For Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption In Organizations -- Chapter 4. Developing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Framework And The Related Hypotheses -- Chapter 5. Analyzing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Responses By Smartpls Version 2 -- Chapter 6. Conclusion And Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Recommendations For Organizations. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
Título : Introducing CTS (Copper-Tin-Sulphide) as a Solar Cell by Using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS) Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ariannejad, Mahdi, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XVIII, 67 p. 50 ilustraciones, 39 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-17395-1 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Almacenamiento de energía mecánica y térmica Circuitos y sistemas electrónicos Circuito electrónico Almacen de energia Índice Dewey: 6.213.126 Resumen: Este libro analiza la mejora de la eficiencia de las células solares utilizadas actualmente. Los autores han caracterizado diferentes estructuras del sistema de células solares para optimizar los parámetros del sistema, en particular el rendimiento de la célula solar de cobre-estaño-sulfuro utilizando el Simulador de capacitancia de células solares (SCAPS). Esta investigación puede ayudar a los científicos a superar las limitaciones actuales y crear nuevos diseños del sistema con mayor eficiencia y mayor funcionalidad. Los autores han investigado las muestras correspondientes desde varios puntos de vista, incluidas las propiedades estructurales (cristalinidad, composición y morfología de la superficie), ópticas (espectros de transmitancia/reflectancia UV-vis-IR cercano) y de resistividad eléctrica. . Nota de contenido: Chapter1: Development of Solar Cell Photovoltaic: Introduction and principle working -- Chapter2: Solar Energy based Semiconductors: Working functions and mechanisms -- Chapter3: CTS (CU2SNS3) solar cell structures and implemented methodology -- Chapter4: CTS solar cell performance analysis and efficiency characterizations -- Chapter5: A Summary of semiconductor solar cells and future works. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Introducing CTS (Copper-Tin-Sulphide) as a Solar Cell by Using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS) [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, Autor ; Ariannejad, Mahdi, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XVIII, 67 p. 50 ilustraciones, 39 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-17395-1
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Almacenamiento de energía mecánica y térmica Circuitos y sistemas electrónicos Circuito electrónico Almacen de energia Índice Dewey: 6.213.126 Resumen: Este libro analiza la mejora de la eficiencia de las células solares utilizadas actualmente. Los autores han caracterizado diferentes estructuras del sistema de células solares para optimizar los parámetros del sistema, en particular el rendimiento de la célula solar de cobre-estaño-sulfuro utilizando el Simulador de capacitancia de células solares (SCAPS). Esta investigación puede ayudar a los científicos a superar las limitaciones actuales y crear nuevos diseños del sistema con mayor eficiencia y mayor funcionalidad. Los autores han investigado las muestras correspondientes desde varios puntos de vista, incluidas las propiedades estructurales (cristalinidad, composición y morfología de la superficie), ópticas (espectros de transmitancia/reflectancia UV-vis-IR cercano) y de resistividad eléctrica. . Nota de contenido: Chapter1: Development of Solar Cell Photovoltaic: Introduction and principle working -- Chapter2: Solar Energy based Semiconductors: Working functions and mechanisms -- Chapter3: CTS (CU2SNS3) solar cell structures and implemented methodology -- Chapter4: CTS solar cell performance analysis and efficiency characterizations -- Chapter5: A Summary of semiconductor solar cells and future works. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
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