Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, ; Ghadiry, Mahdiar, Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasia] : Springer Fecha de publicación: 2018 Número de páginas: IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-10-6550-7 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Circuitos electrónicos  Nanotecnología  Microsistemas y MEMS  Circuitos y sistemas electrónicos Clasificación: Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados ​​en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados ​​en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses analytical approaches and modeling of the breakdown voltage (BV) effects on graphene-based transistors. It presents semi-analytical models for lateral electric field, length of velocity saturation region (LVSR), ionization coefficient (α), and breakdown voltage (BV) of single and double-gate graphene nanoribbon field effect transistors (GNRFETs). The application of Gauss's law at drain and source regions is employed in order to derive surface potential and lateral electric field equations. LVSR is then calculated as a solution of surface potential at saturation condition. The ionization coefficient is modelled and calculated by deriving equations for probability of collisions in ballistic and drift modes based on the lucky drift theory of ionization. The threshold energy of ionization is computed using simulation and an empirical equation is derived semi-analytically. Lastly avalanche breakdown condition is employed to calculate the lateral BV. On the basis of this,simple analytical and semi-analytical models are proposed for the LVSR and BV, which could be used in the design and optimization of semiconductor devices and sensors. The proposed equations are used to examine BV at different channel lengths, supply voltages, oxide thickness, GNR widths, and gate voltages. Simulation results show that the operating voltage of FETs could be as low as 0.25 V in order to prevent breakdown. However, after optimization, it can go as high as 1.5 V. This work is useful for researchers working in the area of graphene nanoribbon-based transistors. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, ; Ghadiry, Mahdiar,  . -  1 ed.  . - Singapore [Malasia] : Springer, 2018 . - IX, 86 p. 55 ilustraciones, 16 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-10-6550-7 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Microtecnología  Sistemas micro electromecánicos  Circuitos electrónicos  Nanotecnología  Microsistemas y MEMS  Circuitos y sistemas electrónicos Clasificación: Resumen: Este libro analiza enfoques analíticos y modelos de los efectos del voltaje de ruptura (BV) en transistores basados ​​en grafeno. Presenta modelos semianalíticos para el campo eléctrico lateral, la longitud de la región de saturación de velocidad (LVSR), el coeficiente de ionización (α) y el voltaje de ruptura (BV) de transistores de efecto de campo de nanocintas de grafeno (GNRFET) de puerta simple y doble. La aplicación de la ley de Gauss en las regiones de drenaje y fuente se emplea para derivar ecuaciones de potencial superficial y campo eléctrico lateral. Luego se calcula LVSR como una solución del potencial superficial en condiciones de saturación. El coeficiente de ionización se modela y calcula derivando ecuaciones para la probabilidad de colisiones en modos balísticos y de deriva basadas en la teoría de la ionización de la deriva afortunada. La energía umbral de ionización se calcula mediante simulación y se deriva semianalíticamente una ecuación empírica. Por último, se emplea la condición de ruptura de avalancha para calcular el BV lateral. Sobre la base de esto, se proponen modelos analíticos y semianalíticos simples para LVSR y BV, que podrían usarse en el diseño y optimización de dispositivos y sensores semiconductores. Las ecuaciones propuestas se utilizan para examinar BV en diferentes longitudes de canal, voltajes de suministro, espesor de óxido, anchos de GNR y voltajes de compuerta. Los resultados de la simulación muestran que el voltaje de funcionamiento de los FET podría ser tan bajo como 0,25 V para evitar averías. Sin embargo, después de la optimización, puede llegar hasta 1,5 V. Este trabajo es útil para los investigadores que trabajan en el área de los transistores basados ​​en nanocintas de grafeno. Nota de contenido: Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses analytical approaches and modeling of the breakdown voltage (BV) effects on graphene-based transistors. It presents semi-analytical models for lateral electric field, length of velocity saturation region (LVSR), ionization coefficient (α), and breakdown voltage (BV) of single and double-gate graphene nanoribbon field effect transistors (GNRFETs). The application of Gauss's law at drain and source regions is employed in order to derive surface potential and lateral electric field equations. LVSR is then calculated as a solution of surface potential at saturation condition. The ionization coefficient is modelled and calculated by deriving equations for probability of collisions in ballistic and drift modes based on the lucky drift theory of ionization. The threshold energy of ionization is computed using simulation and an empirical equation is derived semi-analytically. Lastly avalanche breakdown condition is employed to calculate the lateral BV. On the basis of this,simple analytical and semi-analytical models are proposed for the LVSR and BV, which could be used in the design and optimization of semiconductor devices and sensors. The proposed equations are used to examine BV at different channel lengths, supply voltages, oxide thickness, GNR widths, and gate voltages. Simulation results show that the operating voltage of FETs could be as low as 0.25 V in order to prevent breakdown. However, after optimization, it can go as high as 1.5 V. This work is useful for researchers working in the area of graphene nanoribbon-based transistors. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

Design and Development of Optical Dispersion Characterization Systems / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Design and Development of Optical Dispersion Characterization Systems Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, ; Ghasemi, Masih, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: VIII, 71 p. 56 ilustraciones, 42 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-10585-3 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Procesamiento de la señal  Circuitos electrónicos  Electrónica  Procesamiento de señales  voz e imágenes  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 621.382 Telecomunicaciones Resumen: Este libro demuestra la implementación de un sistema de medición automatizado para una medición muy eficiente de la dispersión cromática, que utiliza un método de cambio de fase de modulación en largas distancias de fibra óptica monomodo. Los autores muestran cómo se adopta un nuevo esquema para medir la dispersión cromática junto con un láser sintonizable (TLS), que proporciona la potencia óptica en la longitud de onda requerida, y un osciloscopio digital (DOSC) para medir la diferencia de fase entre las señales de microondas del transmisor y las señales de microondas en El receptor. Este es un enfoque novedoso para la dispersión cromática en tiempo real en sistemas ópticos como las fibras ópticas. La configuración utilizada es muy simple, precisa y rentable, en comparación con otros métodos como la medición directa, el retardo de modo diferencial, la medición de dispersión en modo de polarización y el método de retardo de fase. Describe algoritmos para caracterizar y controlar aparatos ópticos; Introduce un nuevo sistema automatizado de caracterización de moduladores electroópticos con aplicación de microondas de conducción; Describe un nuevo algoritmo para la medición automatizada de la dispersión para diferentes longitudes de fibras; Proporciona análisis del sistema para mostrar los efectos de parámetros críticos, como las dimensiones, en la dispersión. Nota de contenido: Chapter 1. Concepts and fundamental theories of optical fiber dispersions -- Chapter 2. Single mode optical fiber dispersions and physics phenomenon involved -- Chapter 3. Study of optical fiber dispersion and measuring methods -- Chapter 4. Design and development of algorithm for auto-measurement voltage and temporal parameters of microwave signal -- Chapter 5. Device characterizations and chromatic dispersion measurement in optical fibers -- Chapter 6. Optical fiber dispersions and future contributions on electro-optic modulator system optimizations. Tipo de medio : Computadora Summary : This book demonstrates the implementation of an automated measuring system for very efficient measurement of chromatic dispersion, which uses a modulation phase shift method over long haul of optical single mode fiber. The authors show how a new scheme for measuring chromatic dispersion is adopted in conjunction with a tunable laser (TLS), providing the optical power at required wavelength and digital oscilloscope (DOSC) for measuring the phase difference between microwave signals from transmitter and microwave signals at the receiver. This is a novel approach for real-time chromatic dispersion in optical systems such as optical fibers. The setup used is very simple, accurate and cost effective, compared to other methods such as direct measurement, differential mode delay, polarization mode dispersion measurement and phase delay method. Describes algorithms for characterization and controlling optical apparatus; Introduces a new automated characterization system for electro-optic modulators with application of driving microwaves; Describes a new algorithm for automated dispersion measurement for different length of fibers; Provides system analysis to show the effects of critical parameters, such as dimensions on dispersion. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Design and Development of Optical Dispersion Characterization Systems [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, ; Ghasemi, Masih,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - VIII, 71 p. 56 ilustraciones, 42 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-10585-3 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Procesamiento de la señal  Circuitos electrónicos  Electrónica  Procesamiento de señales  voz e imágenes  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 621.382 Telecomunicaciones Resumen: Este libro demuestra la implementación de un sistema de medición automatizado para una medición muy eficiente de la dispersión cromática, que utiliza un método de cambio de fase de modulación en largas distancias de fibra óptica monomodo. Los autores muestran cómo se adopta un nuevo esquema para medir la dispersión cromática junto con un láser sintonizable (TLS), que proporciona la potencia óptica en la longitud de onda requerida, y un osciloscopio digital (DOSC) para medir la diferencia de fase entre las señales de microondas del transmisor y las señales de microondas en El receptor. Este es un enfoque novedoso para la dispersión cromática en tiempo real en sistemas ópticos como las fibras ópticas. La configuración utilizada es muy simple, precisa y rentable, en comparación con otros métodos como la medición directa, el retardo de modo diferencial, la medición de dispersión en modo de polarización y el método de retardo de fase. Describe algoritmos para caracterizar y controlar aparatos ópticos; Introduce un nuevo sistema automatizado de caracterización de moduladores electroópticos con aplicación de microondas de conducción; Describe un nuevo algoritmo para la medición automatizada de la dispersión para diferentes longitudes de fibras; Proporciona análisis del sistema para mostrar los efectos de parámetros críticos, como las dimensiones, en la dispersión. Nota de contenido: Chapter 1. Concepts and fundamental theories of optical fiber dispersions -- Chapter 2. Single mode optical fiber dispersions and physics phenomenon involved -- Chapter 3. Study of optical fiber dispersion and measuring methods -- Chapter 4. Design and development of algorithm for auto-measurement voltage and temporal parameters of microwave signal -- Chapter 5. Device characterizations and chromatic dispersion measurement in optical fibers -- Chapter 6. Optical fiber dispersions and future contributions on electro-optic modulator system optimizations. Tipo de medio : Computadora Summary : This book demonstrates the implementation of an automated measuring system for very efficient measurement of chromatic dispersion, which uses a modulation phase shift method over long haul of optical single mode fiber. The authors show how a new scheme for measuring chromatic dispersion is adopted in conjunction with a tunable laser (TLS), providing the optical power at required wavelength and digital oscilloscope (DOSC) for measuring the phase difference between microwave signals from transmitter and microwave signals at the receiver. This is a novel approach for real-time chromatic dispersion in optical systems such as optical fibers. The setup used is very simple, accurate and cost effective, compared to other methods such as direct measurement, differential mode delay, polarization mode dispersion measurement and phase delay method. Describes algorithms for characterization and controlling optical apparatus; Introduces a new automated characterization system for electro-optic modulators with application of driving microwaves; Describes a new algorithm for automated dispersion measurement for different length of fibers; Provides system analysis to show the effects of critical parameters, such as dimensions on dispersion. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, ; Mohammadi, Hossein, ; Hosseinghadiry, Mahdiar, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-04513-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Electrónica  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications. Describes the evolution of MESFET in the semiconductor industry; Discusses challenges and solutions associated with downscaling; Provides comprehensive information on the structure and operation of silicon MESFETs. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, ; Mohammadi, Hossein, ; Hosseinghadiry, Mahdiar,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - IX, 122 p. 51 ilustraciones, 27 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-04513-5 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Electrónica  Circuitos y sistemas electrónicos  Electrónica y Microelectrónica  Instrumentación Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro proporciona información detallada y precisa sobre la historia, estructura, funcionamiento, beneficios y estructuras avanzadas del silicio MESFET, junto con el modelado y análisis del dispositivo. Los autores explican la física detallada que es importante en el modelado de SOI-MESFET y presentan las derivaciones de expresiones de modelos compactos para que los usuarios puedan reconocer el significado físico de las ecuaciones y parámetros del modelo. La discusión también incluye estructuras avanzadas para SOI-MESFET para aplicaciones submicrónicas. Describe la evolución de MESFET en la industria de semiconductores; Analiza los desafíos y soluciones asociados con la reducción de escala; Proporciona información completa sobre la estructura y el funcionamiento de los MESFET de silicio. Nota de contenido: Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits -- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET -- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET -- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET -- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET -- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices -- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications. Describes the evolution of MESFET in the semiconductor industry; Discusses challenges and solutions associated with downscaling; Provides comprehensive information on the structure and operation of silicon MESFETs. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

Introducing CTS (Copper-Tin-Sulphide) as a Solar Cell by Using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS) / Amiri, Iraj Sadegh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Introducing CTS (Copper-Tin-Sulphide) as a Solar Cell by Using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS) Tipo de documento: documento electrónico Autores: Amiri, Iraj Sadegh, ; Ariannejad, Mahdi, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XVIII, 67 p. 50 ilustraciones, 39 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-17395-1 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Almacenamiento de energía mecánica y térmica  Circuitos y sistemas electrónicos  Circuito electrónico  Almacen de energia Clasificación: 6.213.126 Resumen: Este libro analiza la mejora de la eficiencia de las células solares utilizadas actualmente. Los autores han caracterizado diferentes estructuras del sistema de células solares para optimizar los parámetros del sistema, en particular el rendimiento de la célula solar de cobre-estaño-sulfuro utilizando el Simulador de capacitancia de células solares (SCAPS). Esta investigación puede ayudar a los científicos a superar las limitaciones actuales y crear nuevos diseños del sistema con mayor eficiencia y mayor funcionalidad. Los autores han investigado las muestras correspondientes desde varios puntos de vista, incluidas las propiedades estructurales (cristalinidad, composición y morfología de la superficie), ópticas (espectros de transmitancia/reflectancia UV-vis-IR cercano) y de resistividad eléctrica. . Nota de contenido: Chapter1: Development of Solar Cell Photovoltaic: Introduction and principle working -- Chapter2: Solar Energy based Semiconductors: Working functions and mechanisms -- Chapter3: CTS (CU2SNS3) solar cell structures and implemented methodology -- Chapter4: CTS solar cell performance analysis and efficiency characterizations -- Chapter5: A Summary of semiconductor solar cells and future works. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses the enhancement of efficiency in currently used solar cells. The authors have characterized different structures of the solar cell system to optimize system parameters, particularly the performance of the Copper-Tin-Sulphide solar cell using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS). This research can help scientist to overcome the current limitations and build up new designs of the system with higher efficiency and greater functionality. The authors have investigated the corresponding samples from various viewpoints, including structural (crystallinity, composition and surface morphology), optical (UV–vis–near-IR transmittance/reflectance spectra) and electrical resistivity properties. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Introducing CTS (Copper-Tin-Sulphide) as a Solar Cell by Using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS) [documento electrónico] / Amiri, Iraj Sadegh, ; Ariannejad, Mahdi,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XVIII, 67 p. 50 ilustraciones, 39 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-17395-1 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Almacenamiento de energía mecánica y térmica  Circuitos y sistemas electrónicos  Circuito electrónico  Almacen de energia Clasificación: 6.213.126 Resumen: Este libro analiza la mejora de la eficiencia de las células solares utilizadas actualmente. Los autores han caracterizado diferentes estructuras del sistema de células solares para optimizar los parámetros del sistema, en particular el rendimiento de la célula solar de cobre-estaño-sulfuro utilizando el Simulador de capacitancia de células solares (SCAPS). Esta investigación puede ayudar a los científicos a superar las limitaciones actuales y crear nuevos diseños del sistema con mayor eficiencia y mayor funcionalidad. Los autores han investigado las muestras correspondientes desde varios puntos de vista, incluidas las propiedades estructurales (cristalinidad, composición y morfología de la superficie), ópticas (espectros de transmitancia/reflectancia UV-vis-IR cercano) y de resistividad eléctrica. . Nota de contenido: Chapter1: Development of Solar Cell Photovoltaic: Introduction and principle working -- Chapter2: Solar Energy based Semiconductors: Working functions and mechanisms -- Chapter3: CTS (CU2SNS3) solar cell structures and implemented methodology -- Chapter4: CTS solar cell performance analysis and efficiency characterizations -- Chapter5: A Summary of semiconductor solar cells and future works. Tipo de medio : Computadora Summary : This book discusses the enhancement of efficiency in currently used solar cells. The authors have characterized different structures of the solar cell system to optimize system parameters, particularly the performance of the Copper-Tin-Sulphide solar cell using Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS). This research can help scientist to overcome the current limitations and build up new designs of the system with higher efficiency and greater functionality. The authors have investigated the corresponding samples from various viewpoints, including structural (crystallinity, composition and surface morphology), optical (UV–vis–near-IR transmittance/reflectance spectra) and electrical resistivity properties. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

The Impact of Service Oriented Architecture Adoption on Organizations / Niknejad, Naghmeh  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : The Impact of Service Oriented Architecture Adoption on Organizations Tipo de documento: documento electrónico Autores: Niknejad, Naghmeh, ; Hussin, Ab Razak Che, ; Amiri, Iraj Sadegh, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XIII, 115 p. 33 ilustraciones, 28 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-12100-6 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Microprocesadores  Arquitectura de Computadores  Gestión industrial  Circuitos y sistemas electrónicos  Arquitecturas de procesador Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro describe la arquitectura orientada a servicios (SOA) y los factores importantes que afectan su adopción, como la gobernanza, la estrategia, la complejidad, el retorno de la inversión (ROI), la alineación empresarial y de TI, la cultura y la comunicación, los costos y la seguridad. El estudio en el que se basa este libro implicó un análisis cuantitativo para investigar los factores influyentes para la adopción de SOA, allanando el camino para futuras investigaciones en el campo. Describe los diversos factores, como la seguridad, que influyen en la adopción de la arquitectura orientada a servicios (SOA) en muchas organizaciones. Investiga la relación entre los factores de adopción de SOA y el desempeño de las organizaciones. Desarrolla un nuevo marco de adopción de SOA para medir el efecto en el desempeño de la organización. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption -- Chapter 2. Literature Review Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Researches And The Related Significant Factors -- Chapter 3. Quantitative Research Methodology For Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption In Organizations -- Chapter 4. Developing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Framework And The Related Hypotheses -- Chapter 5. Analyzing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Responses By Smartpls Version 2 -- Chapter 6. Conclusion And Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Recommendations For Organizations. Tipo de medio : Computadora Summary : This book describes Service-Oriented Architecture (SOA) and the significant factors which affect its adoption, such as governance, strategy, complexity, Return on Investment (ROI), business and IT alignment, culture and communication, costs, and security. The study on which this book is based, involved a quantitative analysis to investigate the influential factors for adopting SOA, paving the way to further research in the field. Describes the various factors, such as security, influencing Service-Oriented Architecture (SOA) adoption in many organizations Investigates the relation between SOA adoption factors and the organizations' performance Developes a new SOA adoption framework to measure the effect on organizational performance. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] The Impact of Service Oriented Architecture Adoption on Organizations [documento electrónico] / Niknejad, Naghmeh, ; Hussin, Ab Razak Che, ; Amiri, Iraj Sadegh,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XIII, 115 p. 33 ilustraciones, 28 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-12100-6 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Circuitos electrónicos  Microprocesadores  Arquitectura de Computadores  Gestión industrial  Circuitos y sistemas electrónicos  Arquitecturas de procesador Clasificación: 6.213.815 Resumen: Este libro describe la arquitectura orientada a servicios (SOA) y los factores importantes que afectan su adopción, como la gobernanza, la estrategia, la complejidad, el retorno de la inversión (ROI), la alineación empresarial y de TI, la cultura y la comunicación, los costos y la seguridad. El estudio en el que se basa este libro implicó un análisis cuantitativo para investigar los factores influyentes para la adopción de SOA, allanando el camino para futuras investigaciones en el campo. Describe los diversos factores, como la seguridad, que influyen en la adopción de la arquitectura orientada a servicios (SOA) en muchas organizaciones. Investiga la relación entre los factores de adopción de SOA y el desempeño de las organizaciones. Desarrolla un nuevo marco de adopción de SOA para medir el efecto en el desempeño de la organización. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption -- Chapter 2. Literature Review Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Researches And The Related Significant Factors -- Chapter 3. Quantitative Research Methodology For Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption In Organizations -- Chapter 4. Developing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Adoption Framework And The Related Hypotheses -- Chapter 5. Analyzing Of Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Responses By Smartpls Version 2 -- Chapter 6. Conclusion And Service-Oriented Architecture (SOA) Experts Recommendations For Organizations. Tipo de medio : Computadora Summary : This book describes Service-Oriented Architecture (SOA) and the significant factors which affect its adoption, such as governance, strategy, complexity, Return on Investment (ROI), business and IT alignment, culture and communication, costs, and security. The study on which this book is based, involved a quantitative analysis to investigate the influential factors for adopting SOA, paving the way to further research in the field. Describes the various factors, such as security, influencing Service-Oriented Architecture (SOA) adoption in many organizations Investigates the relation between SOA adoption factors and the organizations' performance Developes a new SOA adoption framework to measure the effect on organizational performance. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

Willemite-Based Glass Ceramic Doped by Different Percentage of Erbium Oxide and Sintered in Temperature of 500-1100C / Sarrigani, Gholamreza Vahedi  

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