| Título : |
5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS |
| Tipo de documento: |
documento electrónico |
| Autores: |
Vigilante, Marco, Autor ; Reynaert, Patrick, Autor |
| Mención de edición: |
1 ed. |
| Editorial: |
[s.l.] : Springer |
| Fecha de publicación: |
2018 |
| Número de páginas: |
X, 205 p. 170 ilustraciones, 148 ilustraciones en color. |
| ISBN/ISSN/DL: |
978-3-319-72646-5 |
| Nota general: |
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. |
| Palabras clave: |
Circuitos electrónicos Microprocesadores Arquitectura de Computadores Circuitos y sistemas electrónicos Arquitecturas de procesador |
| Índice Dewey: |
6.213.815 |
| Resumen: |
Este libro analiza técnicas de diseño, detalles de diseño y mediciones de varios bloques de construcción analógicos clave que actualmente limitan el rendimiento de los transceptores 5G y de banda E implementados en CMOS de escala profunda. Los autores presentan desarrollos recientes en VCO de cuadratura de bajo ruido y divisores de frecuencia sin inductores sintonizables. Además, se analiza con gran detalle el diseño de filtros basados en transformadores de banda ancha de baja pérdida que realizan adaptación entre etapas, división/combinación de potencia y transformación de impedancia. Se muestran el diseño y las medidas de un amplificador de bajo ruido, un convertidor reductor y un amplificador de potencia altamente lineal que aprovechan las técnicas propuestas. Todos los prototipos se realizaron con tecnologías CMOS avanzadas a escala nanométrica sin la opción de RF de espesor a metal. Analiza las principales implicaciones del escalamiento de la tecnología CMOS en el diseño de circuitos de baja potencia de ondas milimétricas; Incluye técnicas de diseño detalladas, implementaciones de diseño y ejemplos de diseño de osciladores de cuadratura de banda ancha de onda mm, divisores de frecuencia, amplificadores de bajo ruido, convertidores descendentes y amplificadores de potencia altamente lineales de última generación; Proporcionar un trabajo de referencia tanto para neófitos como para ingenieros de diseño de ondas mm más experimentados. |
| Nota de contenido: |
Introduction -- Gm Stage and Passives in deep-scaled CMOS -- Gain-Bandwidth Enhancement Techniques for mm-Wave fully integrated Amplifiers -- mm-Wave LC VCOs -- mm-Wave Dividers -- mm-Wave Broadband Downconverters -- mm-Wave Highly-Linear Broadband Power Amplifiers -- Conclusion. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS [documento electrónico] / Vigilante, Marco, Autor ; Reynaert, Patrick, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2018 . - X, 205 p. 170 ilustraciones, 148 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-72646-5 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
| Palabras clave: |
Circuitos electrónicos Microprocesadores Arquitectura de Computadores Circuitos y sistemas electrónicos Arquitecturas de procesador |
| Índice Dewey: |
6.213.815 |
| Resumen: |
Este libro analiza técnicas de diseño, detalles de diseño y mediciones de varios bloques de construcción analógicos clave que actualmente limitan el rendimiento de los transceptores 5G y de banda E implementados en CMOS de escala profunda. Los autores presentan desarrollos recientes en VCO de cuadratura de bajo ruido y divisores de frecuencia sin inductores sintonizables. Además, se analiza con gran detalle el diseño de filtros basados en transformadores de banda ancha de baja pérdida que realizan adaptación entre etapas, división/combinación de potencia y transformación de impedancia. Se muestran el diseño y las medidas de un amplificador de bajo ruido, un convertidor reductor y un amplificador de potencia altamente lineal que aprovechan las técnicas propuestas. Todos los prototipos se realizaron con tecnologías CMOS avanzadas a escala nanométrica sin la opción de RF de espesor a metal. Analiza las principales implicaciones del escalamiento de la tecnología CMOS en el diseño de circuitos de baja potencia de ondas milimétricas; Incluye técnicas de diseño detalladas, implementaciones de diseño y ejemplos de diseño de osciladores de cuadratura de banda ancha de onda mm, divisores de frecuencia, amplificadores de bajo ruido, convertidores descendentes y amplificadores de potencia altamente lineales de última generación; Proporcionar un trabajo de referencia tanto para neófitos como para ingenieros de diseño de ondas mm más experimentados. |
| Nota de contenido: |
Introduction -- Gm Stage and Passives in deep-scaled CMOS -- Gain-Bandwidth Enhancement Techniques for mm-Wave fully integrated Amplifiers -- mm-Wave LC VCOs -- mm-Wave Dividers -- mm-Wave Broadband Downconverters -- mm-Wave Highly-Linear Broadband Power Amplifiers -- Conclusion. |
| En línea: |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
| Link: |
https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i |
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