5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS / Vigilante, Marco  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : 5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS Tipo de documento: documento electrónico Autores: Vigilante, Marco, Autor ; Reynaert, Patrick, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2018 Número de páginas: X, 205 p. 170 ilustraciones, 148 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-72646-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Circuitos electrónicos  Microprocesadores  Arquitectura de Computadores  Circuitos y sistemas electrónicos  Arquitecturas de procesador Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro analiza técnicas de diseño, detalles de diseño y mediciones de varios bloques de construcción analógicos clave que actualmente limitan el rendimiento de los transceptores 5G y de banda E implementados en CMOS de escala profunda. Los autores presentan desarrollos recientes en VCO de cuadratura de bajo ruido y divisores de frecuencia sin inductores sintonizables. Además, se analiza con gran detalle el diseño de filtros basados ​​en transformadores de banda ancha de baja pérdida que realizan adaptación entre etapas, división/combinación de potencia y transformación de impedancia. Se muestran el diseño y las medidas de un amplificador de bajo ruido, un convertidor reductor y un amplificador de potencia altamente lineal que aprovechan las técnicas propuestas. Todos los prototipos se realizaron con tecnologías CMOS avanzadas a escala nanométrica sin la opción de RF de espesor a metal. Analiza las principales implicaciones del escalamiento de la tecnología CMOS en el diseño de circuitos de baja potencia de ondas milimétricas; Incluye técnicas de diseño detalladas, implementaciones de diseño y ejemplos de diseño de osciladores de cuadratura de banda ancha de onda mm, divisores de frecuencia, amplificadores de bajo ruido, convertidores descendentes y amplificadores de potencia altamente lineales de última generación; Proporcionar un trabajo de referencia tanto para neófitos como para ingenieros de diseño de ondas mm más experimentados. Nota de contenido: Introduction -- Gm Stage and Passives in deep-scaled CMOS -- Gain-Bandwidth Enhancement Techniques for mm-Wave fully integrated Amplifiers -- mm-Wave LC VCOs -- mm-Wave Dividers -- mm-Wave Broadband Downconverters -- mm-Wave Highly-Linear Broadband Power Amplifiers -- Conclusion. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i 5G and E-Band Communication Circuits in Deep-Scaled CMOS [documento electrónico] / Vigilante, Marco, Autor ; Reynaert, Patrick, Autor  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2018 . - X, 205 p. 170 ilustraciones, 148 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-72646-5 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Circuitos electrónicos  Microprocesadores  Arquitectura de Computadores  Circuitos y sistemas electrónicos  Arquitecturas de procesador Índice Dewey: 6.213.815 Resumen: Este libro analiza técnicas de diseño, detalles de diseño y mediciones de varios bloques de construcción analógicos clave que actualmente limitan el rendimiento de los transceptores 5G y de banda E implementados en CMOS de escala profunda. Los autores presentan desarrollos recientes en VCO de cuadratura de bajo ruido y divisores de frecuencia sin inductores sintonizables. Además, se analiza con gran detalle el diseño de filtros basados ​​en transformadores de banda ancha de baja pérdida que realizan adaptación entre etapas, división/combinación de potencia y transformación de impedancia. Se muestran el diseño y las medidas de un amplificador de bajo ruido, un convertidor reductor y un amplificador de potencia altamente lineal que aprovechan las técnicas propuestas. Todos los prototipos se realizaron con tecnologías CMOS avanzadas a escala nanométrica sin la opción de RF de espesor a metal. Analiza las principales implicaciones del escalamiento de la tecnología CMOS en el diseño de circuitos de baja potencia de ondas milimétricas; Incluye técnicas de diseño detalladas, implementaciones de diseño y ejemplos de diseño de osciladores de cuadratura de banda ancha de onda mm, divisores de frecuencia, amplificadores de bajo ruido, convertidores descendentes y amplificadores de potencia altamente lineales de última generación; Proporcionar un trabajo de referencia tanto para neófitos como para ingenieros de diseño de ondas mm más experimentados. Nota de contenido: Introduction -- Gm Stage and Passives in deep-scaled CMOS -- Gain-Bandwidth Enhancement Techniques for mm-Wave fully integrated Amplifiers -- mm-Wave LC VCOs -- mm-Wave Dividers -- mm-Wave Broadband Downconverters -- mm-Wave Highly-Linear Broadband Power Amplifiers -- Conclusion. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

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