Autor Pampillón Arce, MarÃa Ãngela
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Hacer una sugerencia Refinar búsquedaGrowth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets / Pampillón Arce, MarÃa Ãngela
TÃtulo : Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets Tipo de documento: documento electrónico Autores: Pampillón Arce, MarÃa Ãngela, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: XXIII, 164 p. 116 ilustraciones, 6 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-66607-5 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Superficies (FÃsica) NanotecnologÃa Circuitos electrónicos MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Superficie e interfaz y pelÃcula delgada Circuitos y sistemas electrónicos Microsistemas y MEMS Ãndice Dewey: 530.417 Resumen: Esta tesis describe la fabricación de estructuras de metal-aislante-semiconductor (MIS) utilizando dieléctricos de muy alta permitividad (basados ​​en tierras raras) cultivados mediante pulverización catódica a alta presión a partir de objetivos metálicos. Demuestra la posibilidad de depositar materiales de alta permitividad (GdScO3) mediante pulverización catódica a alta presión de objetivos metálicos utilizando oxidación de plasma in situ sobre sustratos de Si y fosfato de indio (InP). La ventaja de este sistema es la alta presión de trabajo, que hace que las partÃculas sufran múltiples colisiones y se termalicen antes de llegar al sustrato en un proceso de difusión pura, protegiendo asà la superficie del semiconductor de daños. Este trabajo presenta una fabricación única utilizando objetivos metálicos y que implica un proceso de deposición de dos pasos: se pulveriza una fina pelÃcula metálica en una atmósfera de Ar y luego esta pelÃcula se oxida con plasma in situ. También demuestra la fabricación de GdScO3 sobre Si con un valor de permitividad superior a 30 a partir de objetivos metálicos de Gd y Sc. Como no era posible la co-sputtering, se depositó y recoció un nanolaminado de estos materiales. Las propiedades eléctricas de estos dispositivos muestran que el material es muy interesante desde el punto de vista de la integración microelectrónica. Nota de contenido: Introduction -- Fabrication Techniques -- Characterization Techniques -- Thermal Oxidation of Gd2o3 -- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3 -- Gadolinium Scandate -- Interface Scavenging -- Gd2o3 on Inp Substrates -- Conclusions and Future Work. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets [documento electrónico] / Pampillón Arce, MarÃa Ãngela, Autor . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XXIII, 164 p. 116 ilustraciones, 6 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-319-66607-5
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Superficies (FÃsica) NanotecnologÃa Circuitos electrónicos MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Superficie e interfaz y pelÃcula delgada Circuitos y sistemas electrónicos Microsistemas y MEMS Ãndice Dewey: 530.417 Resumen: Esta tesis describe la fabricación de estructuras de metal-aislante-semiconductor (MIS) utilizando dieléctricos de muy alta permitividad (basados ​​en tierras raras) cultivados mediante pulverización catódica a alta presión a partir de objetivos metálicos. Demuestra la posibilidad de depositar materiales de alta permitividad (GdScO3) mediante pulverización catódica a alta presión de objetivos metálicos utilizando oxidación de plasma in situ sobre sustratos de Si y fosfato de indio (InP). La ventaja de este sistema es la alta presión de trabajo, que hace que las partÃculas sufran múltiples colisiones y se termalicen antes de llegar al sustrato en un proceso de difusión pura, protegiendo asà la superficie del semiconductor de daños. Este trabajo presenta una fabricación única utilizando objetivos metálicos y que implica un proceso de deposición de dos pasos: se pulveriza una fina pelÃcula metálica en una atmósfera de Ar y luego esta pelÃcula se oxida con plasma in situ. También demuestra la fabricación de GdScO3 sobre Si con un valor de permitividad superior a 30 a partir de objetivos metálicos de Gd y Sc. Como no era posible la co-sputtering, se depositó y recoció un nanolaminado de estos materiales. Las propiedades eléctricas de estos dispositivos muestran que el material es muy interesante desde el punto de vista de la integración microelectrónica. Nota de contenido: Introduction -- Fabrication Techniques -- Characterization Techniques -- Thermal Oxidation of Gd2o3 -- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3 -- Gadolinium Scandate -- Interface Scavenging -- Gd2o3 on Inp Substrates -- Conclusions and Future Work. En lÃnea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i
