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Autor Su, Ching-Hua |
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TÃtulo : Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Semiconductor Melts Tipo de documento: documento electrónico Autores: Su, Ching-Hua, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2021 Número de páginas: XVII, 134 p. 87 ilustraciones, 15 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-75586-7 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Acelerador de partÃculas FÃsica del acelerador Caracterización y Técnica AnalÃtica Análisis Material Semiconductor TecnologÃa de materiales Clasificación: Resumen: Este libro revisa las mediciones experimentales de densidad, conductividad térmica, viscosidad y conductividad eléctrica en fusiones binarias y pseudobinarias de los sistemas de materiales detectores de infrarrojos más avanzados de HgCdTe y HgZnTe, asà como los análisis teóricos de estos resultados. También se realizaron mediciones dependientes del tiempo sobre el comportamiento de relajación de las propiedades termofÃsicas durante el enfriamiento rápido de las masas fundidas para dilucidar las caracterÃsticas de la fluctuación estructural y la transición de las masas fundidas. El autor muestra los resultados de su investigación que amplÃan la comprensión del proceso de solidificación para interpretar y mejorar los resultados experimentales del crecimiento de cristales y mejora el conocimiento fundamental de los fenómenos de fluctuaciones heterofásicas en las masas fundidas para mejorar los procesos de crecimiento de la masa fundida de todos los sistemas semiconductores. . Un estudio en profundidad de las propiedades termofÃsicas y sus procesos dinámicos estructurales dependientes del tiempo que tienen lugar en las proximidades de la transición de fase sólido-lÃquido de semiconductores ternarios basados ​​en HgTe de rango estrecho de homogeneidad, asà como el análisis estructural del proceso de homogeneización de aleaciones. en la masa fundida es necesario para comprender y mejorar los procesos de crecimiento de los cristales. Este libro está dirigido a estudiantes de posgrado y profesionales en ciencias de materiales, asà como a ingenieros que preparan y desarrollan dispositivos ópticos con semiconductores. La teorÃa de las fluctuaciones heterofásicas de los lÃquidos es aplicable a cualquier sistema de muchos cuerpos, incluida la fÃsica de la materia condensada y la teorÃa de campos. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction -- Chapter 2. Review on Hetero-phase Structural Fluctuation of Semiconductor Melts -- Chapter 3. Phase Diagrams and Associated Solution Model for Liquid Phase of HgTe-based Ternary Systems -- Chapter 4. Density Measurements and Results -- Chapter 5. Density Measurements and Results -- Chapter 6. Viscosity and Electrical Conductivity Measurements and Results -- Chapter 7. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter 8. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter 9. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter10. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Semiconductor Melts [documento electrónico] / Su, Ching-Hua, . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2021 . - XVII, 134 p. 87 ilustraciones, 15 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-75586-7
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Acelerador de partÃculas FÃsica del acelerador Caracterización y Técnica AnalÃtica Análisis Material Semiconductor TecnologÃa de materiales Clasificación: Resumen: Este libro revisa las mediciones experimentales de densidad, conductividad térmica, viscosidad y conductividad eléctrica en fusiones binarias y pseudobinarias de los sistemas de materiales detectores de infrarrojos más avanzados de HgCdTe y HgZnTe, asà como los análisis teóricos de estos resultados. También se realizaron mediciones dependientes del tiempo sobre el comportamiento de relajación de las propiedades termofÃsicas durante el enfriamiento rápido de las masas fundidas para dilucidar las caracterÃsticas de la fluctuación estructural y la transición de las masas fundidas. El autor muestra los resultados de su investigación que amplÃan la comprensión del proceso de solidificación para interpretar y mejorar los resultados experimentales del crecimiento de cristales y mejora el conocimiento fundamental de los fenómenos de fluctuaciones heterofásicas en las masas fundidas para mejorar los procesos de crecimiento de la masa fundida de todos los sistemas semiconductores. . Un estudio en profundidad de las propiedades termofÃsicas y sus procesos dinámicos estructurales dependientes del tiempo que tienen lugar en las proximidades de la transición de fase sólido-lÃquido de semiconductores ternarios basados ​​en HgTe de rango estrecho de homogeneidad, asà como el análisis estructural del proceso de homogeneización de aleaciones. en la masa fundida es necesario para comprender y mejorar los procesos de crecimiento de los cristales. Este libro está dirigido a estudiantes de posgrado y profesionales en ciencias de materiales, asà como a ingenieros que preparan y desarrollan dispositivos ópticos con semiconductores. La teorÃa de las fluctuaciones heterofásicas de los lÃquidos es aplicable a cualquier sistema de muchos cuerpos, incluida la fÃsica de la materia condensada y la teorÃa de campos. Nota de contenido: Chapter 1. Introduction -- Chapter 2. Review on Hetero-phase Structural Fluctuation of Semiconductor Melts -- Chapter 3. Phase Diagrams and Associated Solution Model for Liquid Phase of HgTe-based Ternary Systems -- Chapter 4. Density Measurements and Results -- Chapter 5. Density Measurements and Results -- Chapter 6. Viscosity and Electrical Conductivity Measurements and Results -- Chapter 7. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter 8. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter 9. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts -- Chapter10. Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Melts. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
TÃtulo : ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductors Tipo de documento: documento electrónico Autores: Su, Ching-Hua, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2020 Número de páginas: XVI, 215 p. 178 ilustraciones, 75 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-39655-8 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Semiconductores Material Materiales Aceleradores de partÃculas Caracterización y Técnica AnalÃtica IngenierÃa de Materiales FÃsica del acelerador Clasificación: Resumen: El libro describe los avances en el crecimiento cristalino de materiales semiconductores a granel II-VI. Un estudio fundamental, sistemático y en profundidad del proceso de crecimiento del transporte fÃsico de vapor (PVT) es la clave para producir monocristales de semiconductores de alta calidad. Como tal, el libro ofrece una descripción general completa de los extensos estudios sobre ZnSe y semiconductores compuestos de banda ancha II-VI relacionados, como CdS, CdTe, ZnTe, ZnSeTe y ZnSeS. Además, muestra los pasos detallados para el crecimiento de cristales en masa que permitan dispositivos ópticos que puedan operar en el espectro visible para aplicaciones tales como diodos emisores de luz azul, láseres para pantallas ópticas y en el rango de longitud de onda IR medio, grabación de alta densidad y comunicaciones militares. Luego, el libro analiza las ventajas de la cristalización a partir de vapor en comparación con el crecimiento en estado fundido convencional: temperaturas de procesamiento más bajas, el proceso de purificación asociado con PVT y la morfologÃa superficial mejorada de los cristales crecidos, asà como los inconvenientes necesarios del proceso PVT, como como las bajas e inconsistentes tasas de crecimiento y el bajo rendimiento de monocristales. Al presentar mediciones in situ de la velocidad de transporte, presiones parciales e interferometrÃa, asà como observaciones visuales, el libro proporciona información detallada sobre la cinética durante el proceso PVT. Este libro está dirigido a estudiantes de posgrado y profesionales en ciencias de materiales, asà como a ingenieros que preparan y desarrollan dispositivos ópticos con semiconductores. Nota de contenido: Introduction -- Fundamentals of physical vapor transport process -- Vapor transport rate (Mass Flux) measurements and heat treatments -- Crystal growth -- Residual gas measurements and morphology characterization on grown crystals. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductors [documento electrónico] / Su, Ching-Hua, . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2020 . - XVI, 215 p. 178 ilustraciones, 75 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-39655-8
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos.
Palabras clave: Semiconductores Material Materiales Aceleradores de partÃculas Caracterización y Técnica AnalÃtica IngenierÃa de Materiales FÃsica del acelerador Clasificación: Resumen: El libro describe los avances en el crecimiento cristalino de materiales semiconductores a granel II-VI. Un estudio fundamental, sistemático y en profundidad del proceso de crecimiento del transporte fÃsico de vapor (PVT) es la clave para producir monocristales de semiconductores de alta calidad. Como tal, el libro ofrece una descripción general completa de los extensos estudios sobre ZnSe y semiconductores compuestos de banda ancha II-VI relacionados, como CdS, CdTe, ZnTe, ZnSeTe y ZnSeS. Además, muestra los pasos detallados para el crecimiento de cristales en masa que permitan dispositivos ópticos que puedan operar en el espectro visible para aplicaciones tales como diodos emisores de luz azul, láseres para pantallas ópticas y en el rango de longitud de onda IR medio, grabación de alta densidad y comunicaciones militares. Luego, el libro analiza las ventajas de la cristalización a partir de vapor en comparación con el crecimiento en estado fundido convencional: temperaturas de procesamiento más bajas, el proceso de purificación asociado con PVT y la morfologÃa superficial mejorada de los cristales crecidos, asà como los inconvenientes necesarios del proceso PVT, como como las bajas e inconsistentes tasas de crecimiento y el bajo rendimiento de monocristales. Al presentar mediciones in situ de la velocidad de transporte, presiones parciales e interferometrÃa, asà como observaciones visuales, el libro proporciona información detallada sobre la cinética durante el proceso PVT. Este libro está dirigido a estudiantes de posgrado y profesionales en ciencias de materiales, asà como a ingenieros que preparan y desarrollan dispositivos ópticos con semiconductores. Nota de contenido: Introduction -- Fundamentals of physical vapor transport process -- Vapor transport rate (Mass Flux) measurements and heat treatments -- Crystal growth -- Residual gas measurements and morphology characterization on grown crystals. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
