The Physics of Semiconductor Devices / Sharma, R. K. ; Rawal, D.S  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : The Physics of Semiconductor Devices : Proceedings of IWPSD 2017 Tipo de documento: documento electrónico Autores: Sharma, R. K., ; Rawal, D.S, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: LVII, 1299 p. 824 ilustraciones, 656 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-97604-4 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Semiconductores  Materiales ópticos  Nanociencia  Materia Condensada  Nanofísica  Física de la Materia Condensada Índice Dewey: 537.622 Resumen: Este libro difunde los conocimientos actuales sobre física de semiconductores y sus aplicaciones en la comunidad científica. Se basa en un taller bienal que proporciona a los grupos de investigación participantes una plataforma estimulante para la interacción y colaboración con colegas de la misma comunidad científica. El libro analiza los últimos avances en el campo de los nitruros III; materiales y dispositivos, semiconductores compuestos, tecnología VLSI, optoelectrónica, sensores, energía fotovoltaica, crecimiento de cristales, epitaxia y caracterización, grafeno y otros materiales 2D y semiconductores orgánicos. Nota de contenido: Enhanced Photodetection in Visible Region in rGo/GaN Based Hybrid Photodetector -- ZigZag Phosphorene Nanoribbons Antidot â€" Electronic structure and Device Application -- Calculation of Quantum Capacitance and Sheet Carrier Density of Graphene FETs -- Effect of Back Gate Voltage on Double Gate Single Layer Graphene Field-Effect Transistor with Improved ION -- Effects of chemical functionalization on single-walled carbon nanotubes by mild hydrogen peroxide for PV applications -- Effect of tip induced strain on nanoscale electrical properties of MoS2-Graphene heterojunctions -- Optimization of the concentration of molybdenum disulfide (MoS2) for formation of atomically thin layers -- Fabrication of 2D NEMS on flexible substrates for strain engineering in sensing applications -- Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights -- Tuning Resonant Wavelength of Silicon Micro-ring Resonator with Graphene -- Diameter Dependent Band Gap Properties of Different Structures of Single-walled Carbon.-Limitations of Mott-Schottky Analysis for Organic Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i The Physics of Semiconductor Devices : Proceedings of IWPSD 2017 [documento electrónico] / Sharma, R. K., ; Rawal, D.S,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - LVII, 1299 p. 824 ilustraciones, 656 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-97604-4 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Semiconductores  Materiales ópticos  Nanociencia  Materia Condensada  Nanofísica  Física de la Materia Condensada Índice Dewey: 537.622 Resumen: Este libro difunde los conocimientos actuales sobre física de semiconductores y sus aplicaciones en la comunidad científica. Se basa en un taller bienal que proporciona a los grupos de investigación participantes una plataforma estimulante para la interacción y colaboración con colegas de la misma comunidad científica. El libro analiza los últimos avances en el campo de los nitruros III; materiales y dispositivos, semiconductores compuestos, tecnología VLSI, optoelectrónica, sensores, energía fotovoltaica, crecimiento de cristales, epitaxia y caracterización, grafeno y otros materiales 2D y semiconductores orgánicos. Nota de contenido: Enhanced Photodetection in Visible Region in rGo/GaN Based Hybrid Photodetector -- ZigZag Phosphorene Nanoribbons Antidot â€" Electronic structure and Device Application -- Calculation of Quantum Capacitance and Sheet Carrier Density of Graphene FETs -- Effect of Back Gate Voltage on Double Gate Single Layer Graphene Field-Effect Transistor with Improved ION -- Effects of chemical functionalization on single-walled carbon nanotubes by mild hydrogen peroxide for PV applications -- Effect of tip induced strain on nanoscale electrical properties of MoS2-Graphene heterojunctions -- Optimization of the concentration of molybdenum disulfide (MoS2) for formation of atomically thin layers -- Fabrication of 2D NEMS on flexible substrates for strain engineering in sensing applications -- Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights -- Tuning Resonant Wavelength of Silicon Micro-ring Resonator with Graphene -- Diameter Dependent Band Gap Properties of Different Structures of Single-walled Carbon.-Limitations of Mott-Schottky Analysis for Organic Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

---

1 (1 - 1 / 1) Par page : 25 50 100 200