Si Detectors and Characterization for HEP and Photon Science Experiment / Srivastava, Ajay Kumar  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Si Detectors and Characterization for HEP and Photon Science Experiment : How to Design Detectors by TCAD Simulation Tipo de documento: documento electrónico Autores: Srivastava, Ajay Kumar, Autor Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XVII, 183 p. 106 ilustraciones, 77 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-19531-1 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Aceleradores de partículas  Ingenieria asistida por computadora  Medición  Instrumentos de medición  Materia Condensada  Material  Física nuclear  Física del acelerador  Ingeniería y Diseño Asistidos por Computador (CAD  CAE)  Instrumentación y ciencia de la medición  Física de la Materia Condensada  Caracterización y Técnica Analítica Índice Dewey: 539.73 Resumen: Este libro revisa los experimentos del HL-LHC y los experimentos científicos de fotones de cuarta generación, analiza las últimas técnicas de endurecimiento por radiación, la optimización de los parámetros del dispositivo y del proceso utilizando herramientas de simulación TCAD y la caracterización experimental necesaria para desarrollar detectores de Si de dureza radiactiva para x-. daño superficial inducido por rayos y daño masivo por irradiación hadrónica. Consta de once capítulos y presenta varios tipos de diseños de detectores de tiras y píxeles para los requisitos actuales de actualización, radiación y rango dinámico de los experimentos, y presenta una descripción general de los detectores de radiación, especialmente los detectores de Si. También describe el diseño de detectores de píxeles, experimentos y caracterización de detectores de Si. El libro está dirigido a investigadores y estudiantes de maestría con conocimientos de la física de los detectores de radiación. Proporciona un concepto que utiliza la simulación TCAD para optimizar el rendimiento eléctrico de los dispositivos utilizados en el duro entorno de radiación de los colisionadores y en XFEL. . Nota de contenido: Development OF Si DETECTORS FOR THE CMS LHC Experiments -- Physics and Technology of Si Detectors.-Performance of MCz Si Material for p+nn+ and n+pp+ Si Sensor Design: Status and Development for HL-LHC: Status and Development for HL-LHC -- Development OF RADIATION HARD PIXEL DETECTORS FOR THE EUROPEAN XFEL -- T-CAD Simulation for the designing of detectors -- Development of Radiation Hard p+n Si Pixel Sensors for the European XFEL -- Analysis & Optimal Design of Radiation Hard p+n Si Pixel Detector for the Next generation Photon Science Experiments -- CapacitanceS in p+n silicon pixel sensors using 3-D TCAD simulation approach.-CHARACTERIZATION OF SI DETECTORS -- Analysis and TCAD Simulation for C/V, and G/V Electrical Characteristics of Gated Controlled Diodes for the AGIPD of the EuXFEL -- Si Detector for HEP and Photon Science Experiments: How to Design Detectors by TCAD Simulation -- Appendices. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Si Detectors and Characterization for HEP and Photon Science Experiment : How to Design Detectors by TCAD Simulation [documento electrónico] / Srivastava, Ajay Kumar, Autor  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XVII, 183 p. 106 ilustraciones, 77 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-19531-1 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Aceleradores de partículas  Ingenieria asistida por computadora  Medición  Instrumentos de medición  Materia Condensada  Material  Física nuclear  Física del acelerador  Ingeniería y Diseño Asistidos por Computador (CAD  CAE)  Instrumentación y ciencia de la medición  Física de la Materia Condensada  Caracterización y Técnica Analítica Índice Dewey: 539.73 Resumen: Este libro revisa los experimentos del HL-LHC y los experimentos científicos de fotones de cuarta generación, analiza las últimas técnicas de endurecimiento por radiación, la optimización de los parámetros del dispositivo y del proceso utilizando herramientas de simulación TCAD y la caracterización experimental necesaria para desarrollar detectores de Si de dureza radiactiva para x-. daño superficial inducido por rayos y daño masivo por irradiación hadrónica. Consta de once capítulos y presenta varios tipos de diseños de detectores de tiras y píxeles para los requisitos actuales de actualización, radiación y rango dinámico de los experimentos, y presenta una descripción general de los detectores de radiación, especialmente los detectores de Si. También describe el diseño de detectores de píxeles, experimentos y caracterización de detectores de Si. El libro está dirigido a investigadores y estudiantes de maestría con conocimientos de la física de los detectores de radiación. Proporciona un concepto que utiliza la simulación TCAD para optimizar el rendimiento eléctrico de los dispositivos utilizados en el duro entorno de radiación de los colisionadores y en XFEL. . Nota de contenido: Development OF Si DETECTORS FOR THE CMS LHC Experiments -- Physics and Technology of Si Detectors.-Performance of MCz Si Material for p+nn+ and n+pp+ Si Sensor Design: Status and Development for HL-LHC: Status and Development for HL-LHC -- Development OF RADIATION HARD PIXEL DETECTORS FOR THE EUROPEAN XFEL -- T-CAD Simulation for the designing of detectors -- Development of Radiation Hard p+n Si Pixel Sensors for the European XFEL -- Analysis & Optimal Design of Radiation Hard p+n Si Pixel Detector for the Next generation Photon Science Experiments -- CapacitanceS in p+n silicon pixel sensors using 3-D TCAD simulation approach.-CHARACTERIZATION OF SI DETECTORS -- Analysis and TCAD Simulation for C/V, and G/V Electrical Characteristics of Gated Controlled Diodes for the AGIPD of the EuXFEL -- Si Detector for HEP and Photon Science Experiments: How to Design Detectors by TCAD Simulation -- Appendices. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

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