Layered Two-Dimensional Heterostructures and Their Tunneling Characteristics / de la Barrera, Sergio C.  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Layered Two-Dimensional Heterostructures and Their Tunneling Characteristics Tipo de documento: documento electrónico Autores: de la Barrera, Sergio C., Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: XVII, 141 p. 55 ilustraciones, 48 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-69257-9 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Nanociencia  Superficies (Física)  Análisis de espectro  Nanofísica  Superficie e interfaz y película delgada  Espectroscopia Clasificación: 537.622 Resumen: Esta tesis demuestra que las heteroestructuras en capas de cristales bidimensionales de grafeno, nitruro de boro hexagonal y dicalcogenuros de metales de transición proporcionan nuevos e interesantes fenómenos de transporte entre capas. Se emplea microscopía electrónica de baja energía para estudiar la superficie de WSe2 atómicamente delgado preparado mediante deposición química de vapor organometálico sobre sustratos de grafeno epitaxial, y se presenta un método para medir sin ambigüedades el número de capas atómicas. Al utilizar electrones de muy baja energía para sondear la superficie de heteroestructuras similares, se revela una relación entre las diferencias de las funciones de trabajo extraídas de las capas y la naturaleza del contacto eléctrico entre ellas. Una extensión de este análisis se aplica a estudios de superficie de MoSe2 preparado mediante epitaxia de haz molecular sobre grafeno epitaxial. Se mide una gran diferencia en la función de trabajo entre MoSe2 y grafeno, y se proporciona un modelo que sugiere que esta observación es el resultado de una densidad de defectos excepcional en la película de MoSe2. La tesis expone una teoría para calcular corrientes túnel entre cristales bidimensionales separados por una delgada barrera aislante; Algunas situaciones que resultan en túneles resonantes y resistencia diferencial negativa se ilustran mediante ejemplos calculados, así como características observadas, para transistores y uniones de túneles de grafeno monocapa y bicapa. Tipo de medio : Computadora Summary : This thesis demonstrates that layered heterostructures of two-dimensional crystals graphene, hexagonal boron nitride, and transition metal dichalcogenides provide new and interesting interlayer transport phenomena. Low-energy electron microscopy is employed to study the surface of atomically thin WSe2 prepared by metal-organic chemical vapor deposition on epitaxial graphene substrates, and a method for unambiguously measuring the number of atomic layers is presented. Using very low-energy electrons to probe the surface of similar heterostructures, a relationship between extracted work function differences from the layers and the nature of the electrical contact between them is revealed. An extension of this analysis is applied to surface studies of MoSe2 prepared by molecular beam epitaxy on epitaxial graphene. A large work function difference is measured between the MoSe2 and graphene, and a model is provided which suggests that this observation results from an exceptional defect density in the MoSe2 film. The thesis expounds a theory for computing tunneling currents between two-dimensional crystals separated by a thin insulating barrier; a few situations resulting in resonant tunneling and negative differential resistance are illustrated by computed examples, as well as observed characteristics, for monolayer and bilayer graphene tunneling junctions and transistors. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Layered Two-Dimensional Heterostructures and Their Tunneling Characteristics [documento electrónico] / de la Barrera, Sergio C.,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XVII, 141 p. 55 ilustraciones, 48 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-69257-9 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores  Nanociencia  Superficies (Física)  Análisis de espectro  Nanofísica  Superficie e interfaz y película delgada  Espectroscopia Clasificación: 537.622 Resumen: Esta tesis demuestra que las heteroestructuras en capas de cristales bidimensionales de grafeno, nitruro de boro hexagonal y dicalcogenuros de metales de transición proporcionan nuevos e interesantes fenómenos de transporte entre capas. Se emplea microscopía electrónica de baja energía para estudiar la superficie de WSe2 atómicamente delgado preparado mediante deposición química de vapor organometálico sobre sustratos de grafeno epitaxial, y se presenta un método para medir sin ambigüedades el número de capas atómicas. Al utilizar electrones de muy baja energía para sondear la superficie de heteroestructuras similares, se revela una relación entre las diferencias de las funciones de trabajo extraídas de las capas y la naturaleza del contacto eléctrico entre ellas. Una extensión de este análisis se aplica a estudios de superficie de MoSe2 preparado mediante epitaxia de haz molecular sobre grafeno epitaxial. Se mide una gran diferencia en la función de trabajo entre MoSe2 y grafeno, y se proporciona un modelo que sugiere que esta observación es el resultado de una densidad de defectos excepcional en la película de MoSe2. La tesis expone una teoría para calcular corrientes túnel entre cristales bidimensionales separados por una delgada barrera aislante; Algunas situaciones que resultan en túneles resonantes y resistencia diferencial negativa se ilustran mediante ejemplos calculados, así como características observadas, para transistores y uniones de túneles de grafeno monocapa y bicapa. Tipo de medio : Computadora Summary : This thesis demonstrates that layered heterostructures of two-dimensional crystals graphene, hexagonal boron nitride, and transition metal dichalcogenides provide new and interesting interlayer transport phenomena. Low-energy electron microscopy is employed to study the surface of atomically thin WSe2 prepared by metal-organic chemical vapor deposition on epitaxial graphene substrates, and a method for unambiguously measuring the number of atomic layers is presented. Using very low-energy electrons to probe the surface of similar heterostructures, a relationship between extracted work function differences from the layers and the nature of the electrical contact between them is revealed. An extension of this analysis is applied to surface studies of MoSe2 prepared by molecular beam epitaxy on epitaxial graphene. A large work function difference is measured between the MoSe2 and graphene, and a model is provided which suggests that this observation results from an exceptional defect density in the MoSe2 film. The thesis expounds a theory for computing tunneling currents between two-dimensional crystals separated by a thin insulating barrier; a few situations resulting in resonant tunneling and negative differential resistance are illustrated by computed examples, as well as observed characteristics, for monolayer and bilayer graphene tunneling junctions and transistors. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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