Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds / Matsuoka, Takashi ; Kangawa, Yoshihiro  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds : Computational Approach Tipo de documento: documento electrónico Autores: Matsuoka, Takashi, ; Kangawa, Yoshihiro, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2018 Número de páginas: IX, 223 p. 136 ilustraciones, 101 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-76641-6 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Materiales ópticos  Semiconductores  Física matemática  Superficies (Tecnología)  Peliculas delgadas  Cristalografía  Física Teórica  Matemática y Computacional  Superficies  Interfaces y Película Delgada  Métodos de cristalografía y dispersión. Clasificación: 62.011.295 Resumen: Este libro presenta amplia información sobre los mecanismos de crecimiento epitaxial en compuestos de nitruro III, basándose en un enfoque computacional de última generación que combina cálculos ab initio, potenciales interatómicos empíricos y simulaciones de Monte Carlo para hacerlo. Se analizan aspectos teóricos importantes de las estructuras superficiales y los procesos de crecimiento elemental durante el crecimiento epitaxial de compuestos de nitruro III. Además, analiza propiedades estructurales y electrónicas fundamentales avanzadas, estructuras de superficie, procesos de crecimiento fundamentales y comportamiento novedoso de películas delgadas en semiconductores de nitruro III. Como tal, atraerá a todos los investigadores, ingenieros y estudiantes de posgrado que busquen información detallada sobre el crecimiento de cristales y su aplicación a compuestos de nitruro III. Nota de contenido: Introduction -- Computational Methods -- Fundamental Properties of III-Nitrides -- Growth Processes -- Novel Behaviour of Thin Films -- Summary. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents extensive information on the mechanisms of epitaxial growth in III-nitride compounds, drawing on a state-of-the-art computational approach that combines ab initio calculations, empirical interatomic potentials, and Monte Carlo simulations to do so. It discusses important theoretical aspects of surface structures and elemental growth processes during the epitaxial growth of III-nitride compounds. In addition, it discusses advanced fundamental structural and electronic properties, surface structures, fundamental growth processes and novel behavior of thin films in III-nitride semiconductors. As such, it will appeal to all researchers, engineers and graduate students seeking detailed information on crystal growth and its application to III-nitride compounds. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds : Computational Approach [documento electrónico] / Matsuoka, Takashi, ; Kangawa, Yoshihiro,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2018 . - IX, 223 p. 136 ilustraciones, 101 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-76641-6 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Materiales ópticos  Semiconductores  Física matemática  Superficies (Tecnología)  Peliculas delgadas  Cristalografía  Física Teórica  Matemática y Computacional  Superficies  Interfaces y Película Delgada  Métodos de cristalografía y dispersión. Clasificación: 62.011.295 Resumen: Este libro presenta amplia información sobre los mecanismos de crecimiento epitaxial en compuestos de nitruro III, basándose en un enfoque computacional de última generación que combina cálculos ab initio, potenciales interatómicos empíricos y simulaciones de Monte Carlo para hacerlo. Se analizan aspectos teóricos importantes de las estructuras superficiales y los procesos de crecimiento elemental durante el crecimiento epitaxial de compuestos de nitruro III. Además, analiza propiedades estructurales y electrónicas fundamentales avanzadas, estructuras de superficie, procesos de crecimiento fundamentales y comportamiento novedoso de películas delgadas en semiconductores de nitruro III. Como tal, atraerá a todos los investigadores, ingenieros y estudiantes de posgrado que busquen información detallada sobre el crecimiento de cristales y su aplicación a compuestos de nitruro III. Nota de contenido: Introduction -- Computational Methods -- Fundamental Properties of III-Nitrides -- Growth Processes -- Novel Behaviour of Thin Films -- Summary. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents extensive information on the mechanisms of epitaxial growth in III-nitride compounds, drawing on a state-of-the-art computational approach that combines ab initio calculations, empirical interatomic potentials, and Monte Carlo simulations to do so. It discusses important theoretical aspects of surface structures and elemental growth processes during the epitaxial growth of III-nitride compounds. In addition, it discusses advanced fundamental structural and electronic properties, surface structures, fundamental growth processes and novel behavior of thin films in III-nitride semiconductors. As such, it will appeal to all researchers, engineers and graduate students seeking detailed information on crystal growth and its application to III-nitride compounds. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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