Emerging Non-volatile Memory Technologies / Lew, Wen Siang ; Lim, Gerard Joseph ; Dananjaya, Putu Andhita  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications Tipo de documento: documento electrónico Autores: Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita, Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasya] : Springer Fecha de publicación: 2021 Número de páginas: VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-1569128-- Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Magnetismo  Materiales ópticos  Circuitos electrónicos  Análisis de espectro  Materia Condensada  Circuitos y sistemas electrónicos  Espectroscopia  Física de la Materia Condensada Índice Dewey: 538 Magnetismo Resumen: Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados ​​en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados ​​en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. Nota de contenido: Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications [documento electrónico] / Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita,  . -  1 ed.  . - Singapore [Malasya] : Springer, 2021 . - VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-1569128-- Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Palabras clave: Magnetismo  Materiales ópticos  Circuitos electrónicos  Análisis de espectro  Materia Condensada  Circuitos y sistemas electrónicos  Espectroscopia  Física de la Materia Condensada Índice Dewey: 538 Magnetismo Resumen: Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados ​​en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados ​​en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. Nota de contenido: Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. En línea: https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Link: https://biblioteca.umanizales.edu.co/ils/opac_css/index.php?lvl=notice_display&i

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