Emerging Non-volatile Memory Technologies / Lew, Wen Siang ; Lim, Gerard Joseph ; Dananjaya, Putu Andhita  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications Tipo de documento: documento electrónico Autores: Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita, Mención de edición: 1 ed. Editorial: Singapore [Malasia] : Springer Fecha de publicación: 2021 Número de páginas: VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-981-1569128-- Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Magnetismo  Materiales ópticos  Circuitos electrónicos  Análisis de espectro  Materia Condensada  Circuitos y sistemas electrónicos  Espectroscopia  Física de la Materia Condensada Clasificación: 538 Resumen: Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados ​​en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados ​​en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. Nota de contenido: Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. Tipo de medio : Computadora Summary : This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random Access Memory (RRAM). The first section presents different types of spintronic-based devices, i.e. magnetic tunnel junction (MTJ), domain wall, and skyrmion memory devices. This section describes how their developments have led to various promising applications, such as microwave oscillators, detectors, magnetic logic, and neuromorphic engineered systems. In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation. An insight into RRAM desired properties as synaptic element in neuromorphic computing platforms from material and algorithms viewpoint is also discussed with specific example in automatic sound classification framework. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Emerging Non-volatile Memory Technologies : Physics, Engineering, and Applications [documento electrónico] / Lew, Wen Siang, ; Lim, Gerard Joseph, ; Dananjaya, Putu Andhita,  . -  1 ed.  . - Singapore [Malasia] : Springer, 2021 . - VIII, 438 p. 254 ilustraciones, 231 ilustraciones en color. ISBN : 978-981-1569128-- Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Magnetismo  Materiales ópticos  Circuitos electrónicos  Análisis de espectro  Materia Condensada  Circuitos y sistemas electrónicos  Espectroscopia  Física de la Materia Condensada Clasificación: 538 Resumen: Este libro ofrece una guía equilibrada y completa de los principios básicos, propiedades fundamentales, enfoques experimentales y aplicaciones de última generación de dos grupos principales de tecnologías emergentes de memoria no volátil, es decir, dispositivos basados ​​en espintrónica y conmutación resistiva. dispositivos, también conocidos como memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). La primera sección presenta diferentes tipos de dispositivos basados ​​en espintrónica, es decir, dispositivos de unión de túnel magnético (MTJ), pared de dominio y dispositivos de memoria skyrmion. Esta sección describe cómo sus desarrollos han dado lugar a diversas aplicaciones prometedoras, como osciladores de microondas, detectores, lógica magnética y sistemas de ingeniería neuromórfica. En la segunda mitad del libro, se presenta la física subyacente del dispositivo respaldada por diferentes observaciones experimentales y modelados de dispositivos RRAM con implementación a nivel de matriz de memoria. También se analiza una visión de las propiedades deseadas de RRAM como elemento sináptico en plataformas informáticas neuromórficas desde el punto de vista del material y los algoritmos con ejemplos específicos en el marco de clasificación automática de sonidos. Nota de contenido: Microwave Oscillators and Detectors Based on Magnetic Tunnel Junctions -- Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory -- Current-Driven Domain Wall Dynamics in Magnetic Heterostructures for Memory Applications -- Electric-field-controlled MRAM: Physics and Applications -- Chiral Magnetic Domain Wall & Skyrmion Memory Devices -- Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory -- Domain Wall Programmable Magnetic Logic -- 3D Nanomagnetic Logic -- Spintronics for Neuromorphic Engineering -- Resistive Random Access Memory: Device Physics and Array Architectures -- RRAM Characterization and Modelling -- RRAM-based Neuromorphic Computing Systems -- An Automatic Sound Classification Framework with Non-Volatile Memory. Tipo de medio : Computadora Summary : This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random Access Memory (RRAM). The first section presents different types of spintronic-based devices, i.e. magnetic tunnel junction (MTJ), domain wall, and skyrmion memory devices. This section describes how their developments have led to various promising applications, such as microwave oscillators, detectors, magnetic logic, and neuromorphic engineered systems. In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation. An insight into RRAM desired properties as synaptic element in neuromorphic computing platforms from material and algorithms viewpoint is also discussed with specific example in automatic sound classification framework. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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