| TÃtulo : |
Epitaxy of Semiconductors : Physics and Fabrication of Heterostructures |
| Tipo de documento: |
documento electrónico |
| Autores: |
Pohl, Udo W., |
| Mención de edición: |
2 ed. |
| Editorial: |
[s.l.] : Springer |
| Fecha de publicación: |
2020 |
| Número de páginas: |
XX, 535 p. 322 ilustraciones, 145 ilustraciones en color. |
| ISBN/ISSN/DL: |
978-3-030-43869-2 |
| Nota general: |
Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. |
| Idioma : |
Inglés (eng) |
| Palabras clave: |
Semiconductores Materiales ópticos QuÃmica FÃsica CristalografÃa MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Telecomunicación Métodos de cristalografÃa y dispersión. Microsistemas y MEMS Microondas IngenierÃa de RF y Comunicaciones Ópticas |
| Clasificación: |
537.622 |
| Resumen: |
La edición ampliada y revisada de este libro de texto proporciona información esencial para un curso integral de posgrado de nivel superior sobre el crecimiento cristalino de heteroestructuras de semiconductores. La heteroepitaxia es la base de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados de hoy en dÃa y se considera uno de los campos más importantes de la investigación de materiales y la nanotecnologÃa. El libro analiza las propiedades estructurales y electrónicas de las capas epitaxiales tensas, la termodinámica y la cinética del crecimiento de las capas y describe las principales técnicas de crecimiento: epitaxia metalorgánica en fase de vapor, epitaxia de haz molecular y epitaxia en fase lÃquida. También examina en detalle los semiconductores cúbicos y hexagonales, la relajación de tensiones por dislocaciones desadaptadas, los efectos de tensión y confinamiento en estados electrónicos, estructuras de superficie y procesos durante la nucleación y el crecimiento. Requiere solo un conocimiento mÃnimo de fÃsica del estado sólido y proporciona a los estudiantes de ciencias naturales, ciencias de los materiales e ingenierÃa eléctrica y a sus profesores introducciones elementales a la teorÃa y la práctica del crecimiento epitaxial, respaldadas por referencias y más de 300 ilustraciones detalladas. |
| Nota de contenido: |
Introduction -- Structural Properties of Heterostructures -- Electronic Properties of Heterostructures -- Thermodynamics of Epitaxial Layer-Growth -- Atomistic Aspects of Epitaxial Layer-Growth -- In situ Growth Monitoring -- Application of Surfactants -- Doping, Diffusion, and Contacts -- Methods of Epitaxy -- Special Growth Techniques. |
| Tipo de medio : |
Computadora |
| Summary : |
The extended and revised edition of this textbook provides essential information for a comprehensive upper-level graduate course on the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy is the basis of today's advanced electronic and optoelectronic devices, and it is considered one of the most important fields in materials research and nanotechnology. The book discusses the structural and electronic properties of strained epitaxial layers, the thermodynamics and kinetics of layer growth, and it describes the major growth techniques: metalorganic vapor-phase epitaxy, molecular-beam epitaxy, and liquid-phase epitaxy. It also examines in detail cubic and hexagonal semiconductors, strain relaxation by misfit dislocations, strain and confinement effects on electronic states, surface structures, and processes during nucleation and growth. Requiring only minimal knowledge of solid-state physics, it provides natural sciences, materials science and electrical engineering students and their lecturers elementary introductions to the theory and practice of epitaxial growth, supported by references and over 300 detailed illustrations. |
| Enlace de acceso : |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
Epitaxy of Semiconductors : Physics and Fabrication of Heterostructures [documento electrónico] / Pohl, Udo W., . - 2 ed. . - [s.l.] : Springer, 2020 . - XX, 535 p. 322 ilustraciones, 145 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-030-43869-2 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés ( eng)
| Palabras clave: |
Semiconductores Materiales ópticos QuÃmica FÃsica CristalografÃa MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Telecomunicación Métodos de cristalografÃa y dispersión. Microsistemas y MEMS Microondas IngenierÃa de RF y Comunicaciones Ópticas |
| Clasificación: |
537.622 |
| Resumen: |
La edición ampliada y revisada de este libro de texto proporciona información esencial para un curso integral de posgrado de nivel superior sobre el crecimiento cristalino de heteroestructuras de semiconductores. La heteroepitaxia es la base de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados de hoy en dÃa y se considera uno de los campos más importantes de la investigación de materiales y la nanotecnologÃa. El libro analiza las propiedades estructurales y electrónicas de las capas epitaxiales tensas, la termodinámica y la cinética del crecimiento de las capas y describe las principales técnicas de crecimiento: epitaxia metalorgánica en fase de vapor, epitaxia de haz molecular y epitaxia en fase lÃquida. También examina en detalle los semiconductores cúbicos y hexagonales, la relajación de tensiones por dislocaciones desadaptadas, los efectos de tensión y confinamiento en estados electrónicos, estructuras de superficie y procesos durante la nucleación y el crecimiento. Requiere solo un conocimiento mÃnimo de fÃsica del estado sólido y proporciona a los estudiantes de ciencias naturales, ciencias de los materiales e ingenierÃa eléctrica y a sus profesores introducciones elementales a la teorÃa y la práctica del crecimiento epitaxial, respaldadas por referencias y más de 300 ilustraciones detalladas. |
| Nota de contenido: |
Introduction -- Structural Properties of Heterostructures -- Electronic Properties of Heterostructures -- Thermodynamics of Epitaxial Layer-Growth -- Atomistic Aspects of Epitaxial Layer-Growth -- In situ Growth Monitoring -- Application of Surfactants -- Doping, Diffusion, and Contacts -- Methods of Epitaxy -- Special Growth Techniques. |
| Tipo de medio : |
Computadora |
| Summary : |
The extended and revised edition of this textbook provides essential information for a comprehensive upper-level graduate course on the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy is the basis of today's advanced electronic and optoelectronic devices, and it is considered one of the most important fields in materials research and nanotechnology. The book discusses the structural and electronic properties of strained epitaxial layers, the thermodynamics and kinetics of layer growth, and it describes the major growth techniques: metalorganic vapor-phase epitaxy, molecular-beam epitaxy, and liquid-phase epitaxy. It also examines in detail cubic and hexagonal semiconductors, strain relaxation by misfit dislocations, strain and confinement effects on electronic states, surface structures, and processes during nucleation and growth. Requiring only minimal knowledge of solid-state physics, it provides natural sciences, materials science and electrical engineering students and their lecturers elementary introductions to the theory and practice of epitaxial growth, supported by references and over 300 detailed illustrations. |
| Enlace de acceso : |
https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] |
|  |
Crear una solicitud de compra Refinar búsqueda
