Energy-Level Control at Hybrid Inorganic/Organic Semiconductor Interfaces / Schlesinger, Raphael  

Público ISBD Ningún comentario para este registro. Título : Energy-Level Control at Hybrid Inorganic/Organic Semiconductor Interfaces Tipo de documento: documento electrónico Autores: Schlesinger, Raphael, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: XVIII, 211 p. 88 ilustraciones, 52 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-46624-8 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Superficies (Física)  Materiales ópticos  Análisis de espectro  Semiconductores  Superficie e interfaz y película delgada  Espectroscopia Clasificación: 530.417 Resumen: Este trabajo investiga la alineación del nivel de energía de sistemas híbridos inorgánicos/orgánicos (HIOS) que comprenden ZnO como principal semiconductor inorgánico. Además de ofrecer información esencial, la tesis demuestra el ajuste de la alineación del nivel de energía de HIOS dentro de un rango de energía sin precedentes. Se introducen (sub)monocapas de donantes y aceptores moleculares orgánicos como una capa intermedia para modificar los niveles de energía de la interfaz HIOS. Al estudiar numerosos HIOS con diferentes propiedades, el autor obtiene conocimientos sistemáticos generalmente válidos sobre los procesos fundamentales en funcionamiento. Además de los niveles de fijación molecular, identifica que la flexión de bandas inducida por la adsorción y la densidad de estados de estado de brecha desempeñan un papel crucial en la alineación del nivel de energía modificado entre capas, sentando así las bases para controlar racionalmente las propiedades electrónicas de la interfaz HIOS. La tesis también presenta descripciones cuantitativas de muchos aspectos de los procesos, abriendo la puerta a interfaces HIOS innovadoras y a futuras aplicaciones de ZnO en dispositivos electrónicos. . Nota de contenido: Introduction -- Fundamentals -- Theory of Experimental Methods -- Methodology and Experimental Setups -- Results and Discussion -- Conclusion. . Tipo de medio : Computadora Summary : This work investigates the energy-level alignment of hybrid inorganic/organic systems (HIOS) comprising ZnO as the major inorganic semiconductor. In addition to offering essential insights, the thesis demonstrates HIOS energy-level alignment tuning within an unprecedented energy range. (Sub)monolayers of organic molecular donors and acceptors are introduced as an interlayer to modify HIOS interface-energy levels. By studying numerous HIOS with varying properties, the author derives generally valid systematic insights into the fundamental processes at work. In addition to molecular pinning levels, he identifies adsorption-induced band bending and gap-state density of states as playing a crucial role in the interlayer-modified energy-level alignment, thus laying the foundation for rationally controlling HIOS interface electronic properties. The thesis also presents quantitative descriptions of many aspects of the processes, opening the door for innovative HIOS interfaces and for future applications of ZnO in electronic devices. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Energy-Level Control at Hybrid Inorganic/Organic Semiconductor Interfaces [documento electrónico] / Schlesinger, Raphael,  . -  1 ed.  . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XVIII, 211 p. 88 ilustraciones, 52 ilustraciones en color. ISBN : 978-3-319-46624-8 Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Superficies (Física)  Materiales ópticos  Análisis de espectro  Semiconductores  Superficie e interfaz y película delgada  Espectroscopia Clasificación: 530.417 Resumen: Este trabajo investiga la alineación del nivel de energía de sistemas híbridos inorgánicos/orgánicos (HIOS) que comprenden ZnO como principal semiconductor inorgánico. Además de ofrecer información esencial, la tesis demuestra el ajuste de la alineación del nivel de energía de HIOS dentro de un rango de energía sin precedentes. Se introducen (sub)monocapas de donantes y aceptores moleculares orgánicos como una capa intermedia para modificar los niveles de energía de la interfaz HIOS. Al estudiar numerosos HIOS con diferentes propiedades, el autor obtiene conocimientos sistemáticos generalmente válidos sobre los procesos fundamentales en funcionamiento. Además de los niveles de fijación molecular, identifica que la flexión de bandas inducida por la adsorción y la densidad de estados de estado de brecha desempeñan un papel crucial en la alineación del nivel de energía modificado entre capas, sentando así las bases para controlar racionalmente las propiedades electrónicas de la interfaz HIOS. La tesis también presenta descripciones cuantitativas de muchos aspectos de los procesos, abriendo la puerta a interfaces HIOS innovadoras y a futuras aplicaciones de ZnO en dispositivos electrónicos. . Nota de contenido: Introduction -- Fundamentals -- Theory of Experimental Methods -- Methodology and Experimental Setups -- Results and Discussion -- Conclusion. . Tipo de medio : Computadora Summary : This work investigates the energy-level alignment of hybrid inorganic/organic systems (HIOS) comprising ZnO as the major inorganic semiconductor. In addition to offering essential insights, the thesis demonstrates HIOS energy-level alignment tuning within an unprecedented energy range. (Sub)monolayers of organic molecular donors and acceptors are introduced as an interlayer to modify HIOS interface-energy levels. By studying numerous HIOS with varying properties, the author derives generally valid systematic insights into the fundamental processes at work. In addition to molecular pinning levels, he identifies adsorption-induced band bending and gap-state density of states as playing a crucial role in the interlayer-modified energy-level alignment, thus laying the foundation for rationally controlling HIOS interface electronic properties. The thesis also presents quantitative descriptions of many aspects of the processes, opening the door for innovative HIOS interfaces and for future applications of ZnO in electronic devices. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]

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