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537.6 Documentos en la biblioteca con la clasificación 537.622 (30)
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TÃtulo : Amorphous Chalcogenide Semiconductors and Related Materials Tipo de documento: documento electrónico Autores: Tanaka, Keiji, ; Shimakawa, Koichi, Mención de edición: 2 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2021 Número de páginas: XVI, 300 p. 175 ilustraciones ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-69598-9 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores Electrónica Vaso Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro proporciona descripciones introductorias, completas y concisas de semiconductores de calcogenuro amorfo y materiales relacionados. Incluye retratos comparativos del calcogenuro y materiales relacionados, incluido el Si hidrogenado amorfo, vidrios de óxido y haluros y polÃmeros orgánicos. También describe los efectos del desorden de desequilibrio, en comparación con los de los semiconductores cristalinos. Proporciona descripciones introductorias y concisas al campo de los semiconductores calcogenuros amorfos o semiconductores vÃtreos de calcogenuro; Incluye comparaciones de semiconductores cristalinos y no cristalinos, descripciones de caracterÃsticas fundamentales de semiconductores amorfos e indicaciones claras de problemas aún controvertidos; Explica los principios subyacentes a aplicaciones prácticas como DVD (disco versátil digital), generador de imágenes de rayos X, vidicon de avalanchas, dispositivos de infrarrojos, etc. Además, incluye aplicaciones futuras en crecimiento, como dispositivos neuromórficos y componentes ópticos no lineales. Nota de contenido: Introduction -- Structure -- Structural Properties -- Electronic Properties -- Photo-Electronic Properties -- Light-Induced Phenomena -- Applications -- Future Prospects. Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides introductory, comprehensive, and concise descriptions of amorphous chalcogenide semiconductors and related materials. It includes comparative portraits of the chalcogenide and related materials including amorphous hydrogenated Si, oxide and halide glasses, and organic polymers. It also describes effects of non-equilibrium disorder, in comparison with those in crystalline semiconductors. Provides introductory and concise descriptions to the field of Amorphous Chalcogenide Semiconductors, or Chalcogenide Glassy Semiconductors; Includes comparisons of crystalline and non-crystalline semiconductors, descriptions of fundamental features of amorphous semiconductors, and clear indications of still controversial problems; Explains the principles underlying practical applications such as DVD (digital versatile disk), x-ray imager, avalanche vidicon, infrared devices, so forth. Also, it includes growing future applications such as neuro-morphic devices and non-linear optical components. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Amorphous Chalcogenide Semiconductors and Related Materials [documento electrónico] / Tanaka, Keiji, ; Shimakawa, Koichi, . - 2 ed. . - [s.l.] : Springer, 2021 . - XVI, 300 p. 175 ilustraciones.
ISBN : 978-3-030-69598-9
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Idioma : Inglés (eng)
Palabras clave: Semiconductores Electrónica Vaso Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro proporciona descripciones introductorias, completas y concisas de semiconductores de calcogenuro amorfo y materiales relacionados. Incluye retratos comparativos del calcogenuro y materiales relacionados, incluido el Si hidrogenado amorfo, vidrios de óxido y haluros y polÃmeros orgánicos. También describe los efectos del desorden de desequilibrio, en comparación con los de los semiconductores cristalinos. Proporciona descripciones introductorias y concisas al campo de los semiconductores calcogenuros amorfos o semiconductores vÃtreos de calcogenuro; Incluye comparaciones de semiconductores cristalinos y no cristalinos, descripciones de caracterÃsticas fundamentales de semiconductores amorfos e indicaciones claras de problemas aún controvertidos; Explica los principios subyacentes a aplicaciones prácticas como DVD (disco versátil digital), generador de imágenes de rayos X, vidicon de avalanchas, dispositivos de infrarrojos, etc. Además, incluye aplicaciones futuras en crecimiento, como dispositivos neuromórficos y componentes ópticos no lineales. Nota de contenido: Introduction -- Structure -- Structural Properties -- Electronic Properties -- Photo-Electronic Properties -- Light-Induced Phenomena -- Applications -- Future Prospects. Tipo de medio : Computadora Summary : This book provides introductory, comprehensive, and concise descriptions of amorphous chalcogenide semiconductors and related materials. It includes comparative portraits of the chalcogenide and related materials including amorphous hydrogenated Si, oxide and halide glasses, and organic polymers. It also describes effects of non-equilibrium disorder, in comparison with those in crystalline semiconductors. Provides introductory and concise descriptions to the field of Amorphous Chalcogenide Semiconductors, or Chalcogenide Glassy Semiconductors; Includes comparisons of crystalline and non-crystalline semiconductors, descriptions of fundamental features of amorphous semiconductors, and clear indications of still controversial problems; Explains the principles underlying practical applications such as DVD (digital versatile disk), x-ray imager, avalanche vidicon, infrared devices, so forth. Also, it includes growing future applications such as neuro-morphic devices and non-linear optical components. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
TÃtulo : Analysis of Piezoelectric Semiconductor Structures Tipo de documento: documento electrónico Autores: Yang, Jiashi, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2020 Número de páginas: VIII, 230 p. 102 ilustraciones ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-48206-0 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores Mecatrónica Materiales ópticos Mecánica Aplicada Sólidos IngenierÃa civil Electrónica Mecánica de sólidos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta la mecánica de estructuras semiconductoras piezoeléctricas donde el principal acoplamiento electromecánico de interés es la interacción entre campos mecánicos y semiconductores. Este volumen constituye el primer libro completo que trata este tema multifÃsico desde el ángulo de la mecánica. El análisis de estructuras y dispositivos semiconductores piezoeléctricos es un área interdisciplinaria emergente y de rápido crecimiento que involucra materiales, electrónica y mecánica de sólidos. Tiene aplicaciones directas en el nuevo campo de la piezotrónica y la piezofototrónica. El libro es teórico, comienza con un marco fenomenológico y progresa para incluir soluciones a problemas fundamentales para la teorÃa y la aplicación. El Dr. Yang ilustra cómo en los semiconductores piezoeléctricos, los campos mecánicos interactúan con la semiconductora a través de campos eléctricos producidos piezoeléctricamente por cargas mecánicas. Esto proporciona la base de los dispositivos piezotrónicos y piezofototrónicos en los que la semiconductora es inducida, afectada, manipulada o controlada por campos mecánicos. El libro, que también analiza las estructuras compuestas de dieléctricos piezoeléctricos y semiconductores no piezoeléctricos, asà como los efectos térmicos, es una referencia básica ideal sobre el tema para los investigadores. Examina por primera vez la mecánica de los semiconductores piezoeléctricos. Presenta un tratamiento sistemático y conciso de la teorÃa general tridimensional, las teorÃas unidimensionales para la extensión de varillas y la flexión de vigas, y las teorÃas bidimensionales para la extensión y flexión de placas. y shells Incluye muchas soluciones estáticas, armónicas de tiempo y dinámicas transitorias. Nota de contenido: Chapter 1. Macroscopic Theory -- Chapter 2. Exact Solutions -- Chapter 3. Extension of Rods -- Chapter 4. Bending of Beams -- Chapter 5. Extension and Bending of Plates -- Chapter 6. Composite Structures -- Chapter 7. Thermal Effects. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents the mechanics of piezoelectric semiconductor structures where the main electromechanical coupling of interest is the interaction between mechanical fields and semiconduction. This volume stands as the first full book treatment of this multi-physical subject from the mechanics angle. The analysis of piezoelectric semiconductor structures and devices is an emerging and rapidly growing interdisciplinary area involving materials, electronics, and solid mechanics. It has direct applications in the new area of piezotronics and piezo-phototronics. The book is theoretical, beginning with a phenomenological framework and progressing to include solutions to problems fundamental to the theory and application. Dr. Yang illustrates how in piezoelectric semiconductors, mechanical fields interact with semiconduction through the piezoelectrically produced electric fields by mechanical loads. This provides the foundation of piezotronic and piezo-phototronic devices in which semiconduction is induced, affected, manipulated, or controlled by mechanical fields. Also discussing composite structures of piezoelectric dielectrics and nonpiezoelectric semiconductors as well as thermal effects, the book is an ideal basic reference on the topic for researchers. Examines for the first time the mechanics of piezoelectric semiconductors Features a systematic and concise treatment of the three-dimensional general theory, the one-dimensional theories for extension of rods and bending of beams, and the two-dimensional theories for extension and bending of plates and shells Includes many static, time-harmonic, and transient dynamic solutions. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Analysis of Piezoelectric Semiconductor Structures [documento electrónico] / Yang, Jiashi, . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2020 . - VIII, 230 p. 102 ilustraciones.
ISBN : 978-3-030-48206-0
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Palabras clave: Semiconductores Mecatrónica Materiales ópticos Mecánica Aplicada Sólidos IngenierÃa civil Electrónica Mecánica de sólidos Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta la mecánica de estructuras semiconductoras piezoeléctricas donde el principal acoplamiento electromecánico de interés es la interacción entre campos mecánicos y semiconductores. Este volumen constituye el primer libro completo que trata este tema multifÃsico desde el ángulo de la mecánica. El análisis de estructuras y dispositivos semiconductores piezoeléctricos es un área interdisciplinaria emergente y de rápido crecimiento que involucra materiales, electrónica y mecánica de sólidos. Tiene aplicaciones directas en el nuevo campo de la piezotrónica y la piezofototrónica. El libro es teórico, comienza con un marco fenomenológico y progresa para incluir soluciones a problemas fundamentales para la teorÃa y la aplicación. El Dr. Yang ilustra cómo en los semiconductores piezoeléctricos, los campos mecánicos interactúan con la semiconductora a través de campos eléctricos producidos piezoeléctricamente por cargas mecánicas. Esto proporciona la base de los dispositivos piezotrónicos y piezofototrónicos en los que la semiconductora es inducida, afectada, manipulada o controlada por campos mecánicos. El libro, que también analiza las estructuras compuestas de dieléctricos piezoeléctricos y semiconductores no piezoeléctricos, asà como los efectos térmicos, es una referencia básica ideal sobre el tema para los investigadores. Examina por primera vez la mecánica de los semiconductores piezoeléctricos. Presenta un tratamiento sistemático y conciso de la teorÃa general tridimensional, las teorÃas unidimensionales para la extensión de varillas y la flexión de vigas, y las teorÃas bidimensionales para la extensión y flexión de placas. y shells Incluye muchas soluciones estáticas, armónicas de tiempo y dinámicas transitorias. Nota de contenido: Chapter 1. Macroscopic Theory -- Chapter 2. Exact Solutions -- Chapter 3. Extension of Rods -- Chapter 4. Bending of Beams -- Chapter 5. Extension and Bending of Plates -- Chapter 6. Composite Structures -- Chapter 7. Thermal Effects. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents the mechanics of piezoelectric semiconductor structures where the main electromechanical coupling of interest is the interaction between mechanical fields and semiconduction. This volume stands as the first full book treatment of this multi-physical subject from the mechanics angle. The analysis of piezoelectric semiconductor structures and devices is an emerging and rapidly growing interdisciplinary area involving materials, electronics, and solid mechanics. It has direct applications in the new area of piezotronics and piezo-phototronics. The book is theoretical, beginning with a phenomenological framework and progressing to include solutions to problems fundamental to the theory and application. Dr. Yang illustrates how in piezoelectric semiconductors, mechanical fields interact with semiconduction through the piezoelectrically produced electric fields by mechanical loads. This provides the foundation of piezotronic and piezo-phototronic devices in which semiconduction is induced, affected, manipulated, or controlled by mechanical fields. Also discussing composite structures of piezoelectric dielectrics and nonpiezoelectric semiconductors as well as thermal effects, the book is an ideal basic reference on the topic for researchers. Examines for the first time the mechanics of piezoelectric semiconductors Features a systematic and concise treatment of the three-dimensional general theory, the one-dimensional theories for extension of rods and bending of beams, and the two-dimensional theories for extension and bending of plates and shells Includes many static, time-harmonic, and transient dynamic solutions. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
TÃtulo : Basic Semiconductor Physics Tipo de documento: documento electrónico Autores: Hamaguchi, Chihiro, Mención de edición: 3 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: XXI, 709 p. 315 ilustraciones ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-66860-4 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores Material Electrónica Materiales ópticos Caracterización y Técnica AnalÃtica Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta una descripción detallada de la fÃsica básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energÃa en la región de banda completa: pseudopotencial empÃrico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energÃa y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la fÃsica de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la fÃsica de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energÃa en zona de banda completa con interacción espÃn-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energÃa. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores tÃpicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . Nota de contenido: Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed. Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed. Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers. In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are very important materials for the blue light emission, and high power devic es with and high frequency. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Basic Semiconductor Physics [documento electrónico] / Hamaguchi, Chihiro, . - 3 ed. . - [s.l.] : Springer, 2017 . - XXI, 709 p. 315 ilustraciones.
ISBN : 978-3-319-66860-4
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Palabras clave: Semiconductores Material Electrónica Materiales ópticos Caracterización y Técnica AnalÃtica Electrónica y Microelectrónica Instrumentación Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro presenta una descripción detallada de la fÃsica básica de semiconductores. El texto cubre una amplia gama de fenómenos importantes en semiconductores, desde los más simples hasta los más avanzados. Se explican cuatro métodos diferentes de cálculo de bandas de energÃa en la región de banda completa: pseudopotencial empÃrico local, pseudopotencial no local, perturbación KP y métodos de enlace estrecho. Se discuten la aproximación de masa efectiva y el movimiento de electrones en un potencial periódico, la ecuación de transporte de Boltzmann y los potenciales de deformación utilizados para el análisis de las propiedades de transporte. Además, el libro examina en detalle experimentos y análisis teóricos de la resonancia ciclotrón. Se revisan las propiedades ópticas y de transporte, el magnetotransporte, el transporte bidimensional de electrones gaseosos (HEMT y MOSFET) y el transporte cuántico, mientras que también se abordan la transición óptica, la interacción electrón-fonón y la movilidad de los electrones. La energÃa y la estructura electrónica de un punto cuántico (átomo artificial) se explican con la ayuda de los determinantes de Slater. También se describe la fÃsica de los láseres semiconductores, incluidos los coeficientes de Einstein, la emisión estimulada, la emisión espontánea, la ganancia del láser, las heteroestructuras dobles, los láseres azules, el confinamiento óptico, los modos de láser y los láseres de pozo cuántico tensados, lo que ofrece información sobre la fÃsica de varios tipos de semiconductores. láseres. En esta tercera edición, se presentan cálculos de bandas de energÃa en zona de banda completa con interacción espÃn-órbita, mostrando todos los elementos de la matriz y equipando al lector para preparar programas informáticos de cálculos de bandas de energÃa. Se analiza y utiliza el hamiltoniano de Luttinger para analizar la estructura de bandas de valencia. Se presentan cálculos numéricos de tasa de dispersión, tiempo de relajación y movilidad para semiconductores tÃpicos, que son muy útiles para comprender el transporte. Los nitruros como GaN, InN, AlN y sus aleaciones ternarias son materiales muy importantes para la emisión de luz azul y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. . Nota de contenido: Preface to the Third Edition -- Energy Band Structures of Semiconductors -- Cyclotron Resonance and Energy Band Structures -- Wannier Function and Effective Mass Approximation -- Optical Properties 1 -- Optical Properties 2 -- Electron-Phonon Interaction and Electron Transport -- Magnetotransport Phenomena -- Quantum Structures -- Light Emission and Laser. Tipo de medio : Computadora Summary : This book presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed. Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed. Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers. In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are very important materials for the blue light emission, and high power devic es with and high frequency. . Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
TÃtulo : Conductors, Semiconductors, Superconductors : An Introduction to Solid-State Physics Tipo de documento: documento electrónico Autores: Huebener, Rudolf P., Mención de edición: 3 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2019 Número de páginas: XVII, 248 p. 124 ilustraciones, 25 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-030-31420-0 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores Materiales ópticos Telecomunicación Materia Condensada Superconductividad Superconductores Microondas IngenierÃa de RF y Comunicaciones Ópticas FÃsica de la Materia Condensada Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro de texto compacto para estudiantes universitarios proporciona una introducción concisa pero exhaustiva a los fundamentos de la fÃsica del estado sólido, al mismo tiempo que analiza brevemente el contexto histórico que rodea a los académicos clave en este campo. Las explicaciones vÃvidas y el enfoque didáctico único adoptado en el libro tienen como objetivo generar interés en estos temas y al mismo tiempo servir como un manual motivador y un compañero de apoyo para estudiar libros de texto más detallados y avanzados sobre fÃsica del estado sólido. El libro también es adecuado como un repaso rápido para los estudiantes que se preparan para los exámenes. La tercera edición presenta muchas extensiones, incluida una discusión actualizada sobre materiales topológicos, un área en rápido desarrollo a la vanguardia de la fÃsica del estado sólido. El libro, que se concentra principalmente en las propiedades eléctricas y magnéticas de los materiales, beneficiará a los estudiantes universitarios en los campos de la fÃsica, la ciencia de los materiales y la ingenierÃa eléctrica. Nota de contenido: Spectacular Advances -- Well Ordered Lattice Structures in Crystals -- Permanent Movement in the Crystal Lattice -- Electric Conductor or Insulator?—Energy Bands -- Metals Obey the Rules of Quantum Statistics -- Less Can Be More: Semiconductors -- Circling Electrons in High Magnetic Fields -- The Winner: Superconductors -- The Big Surprise: High-Temperature Superconductivity -- Magnetism: Order Among the Elementary Magnets -- Nanostructures: Superlattices, Quantum Wires, and Quantum Dots -- Defects in the Crystal Lattice: Useful or Harmful?. Tipo de medio : Computadora Summary : This compact undergraduate textbook provides a concise yet thorough introduction to the fundamentals of solid-state physics, while also briefly discussing the historical context surrounding key scholars in the field. The vivid explanations and unique didactic approach adopted in the book aim to generate interest in these subjects while also serving as a motivating primer and supporting companion for studying more detailed and advanced textbooks in solid-state physics. The book is also suitable as a quick refresher for students preparing for examinations. The third edition features many extensions, including an up-to-date discussion of topological materials, a rapidly developing area at the forefront of solid-state physics. Primarily concentrating on the electric and magnetic properties of materials, the book will benefit undergraduate students in the fields of physics, materials science, and electrical engineering. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Conductors, Semiconductors, Superconductors : An Introduction to Solid-State Physics [documento electrónico] / Huebener, Rudolf P., . - 3 ed. . - [s.l.] : Springer, 2019 . - XVII, 248 p. 124 ilustraciones, 25 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-030-31420-0
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Idioma : Inglés (eng)
Palabras clave: Semiconductores Materiales ópticos Telecomunicación Materia Condensada Superconductividad Superconductores Microondas IngenierÃa de RF y Comunicaciones Ópticas FÃsica de la Materia Condensada Clasificación: 537.622 Resumen: Este libro de texto compacto para estudiantes universitarios proporciona una introducción concisa pero exhaustiva a los fundamentos de la fÃsica del estado sólido, al mismo tiempo que analiza brevemente el contexto histórico que rodea a los académicos clave en este campo. Las explicaciones vÃvidas y el enfoque didáctico único adoptado en el libro tienen como objetivo generar interés en estos temas y al mismo tiempo servir como un manual motivador y un compañero de apoyo para estudiar libros de texto más detallados y avanzados sobre fÃsica del estado sólido. El libro también es adecuado como un repaso rápido para los estudiantes que se preparan para los exámenes. La tercera edición presenta muchas extensiones, incluida una discusión actualizada sobre materiales topológicos, un área en rápido desarrollo a la vanguardia de la fÃsica del estado sólido. El libro, que se concentra principalmente en las propiedades eléctricas y magnéticas de los materiales, beneficiará a los estudiantes universitarios en los campos de la fÃsica, la ciencia de los materiales y la ingenierÃa eléctrica. Nota de contenido: Spectacular Advances -- Well Ordered Lattice Structures in Crystals -- Permanent Movement in the Crystal Lattice -- Electric Conductor or Insulator?—Energy Bands -- Metals Obey the Rules of Quantum Statistics -- Less Can Be More: Semiconductors -- Circling Electrons in High Magnetic Fields -- The Winner: Superconductors -- The Big Surprise: High-Temperature Superconductivity -- Magnetism: Order Among the Elementary Magnets -- Nanostructures: Superlattices, Quantum Wires, and Quantum Dots -- Defects in the Crystal Lattice: Useful or Harmful?. Tipo de medio : Computadora Summary : This compact undergraduate textbook provides a concise yet thorough introduction to the fundamentals of solid-state physics, while also briefly discussing the historical context surrounding key scholars in the field. The vivid explanations and unique didactic approach adopted in the book aim to generate interest in these subjects while also serving as a motivating primer and supporting companion for studying more detailed and advanced textbooks in solid-state physics. The book is also suitable as a quick refresher for students preparing for examinations. The third edition features many extensions, including an up-to-date discussion of topological materials, a rapidly developing area at the forefront of solid-state physics. Primarily concentrating on the electric and magnetic properties of materials, the book will benefit undergraduate students in the fields of physics, materials science, and electrical engineering. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...]
TÃtulo : Control of Magnetotransport in Quantum Billiards : Theory, Computation and Applications Tipo de documento: documento electrónico Autores: Morfonios, Christian V., ; Schmelcher, Peter, Mención de edición: 1 ed. Editorial: [s.l.] : Springer Fecha de publicación: 2017 Número de páginas: X, 252 p. 49 ilustraciones, 48 ilustraciones en color. ISBN/ISSN/DL: 978-3-319-39833-4 Nota general: Libro disponible en la plataforma SpringerLink. Descarga y lectura en formatos PDF, HTML y ePub. Descarga completa o por capítulos. Idioma : Inglés (eng) Palabras clave: Semiconductores Materiales ópticos MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Magnetismo Nanociencia Microsistemas y MEMS NanofÃsica Clasificación: 537.622 Resumen: En este libro se explora el transporte cuántico coherente de electrones a través de estructuras mesoscópicas bidimensionales en dependencia de la interacción entre la geometrÃa confinada y el impacto de los campos magnéticos aplicados, con el objetivo de controlar la conductancia. Después de una presentación detallada de arriba hacia abajo de los elementos de los dispositivos mesoscópicos y la teorÃa del transporte, se desarrolla una técnica computacional que trata estructuras multiterminales de geometrÃa y topologÃa arbitrarias. El método se basa en el ensamblaje modular de los propagadores electrónicos de subsistemas que están interconectados o intraconectados, lo que proporciona una gran flexibilidad en la configuración del sistema combinada con una alta eficiencia computacional. El control de conductancia se demuestra por primera vez para billares cuánticos alargados y sus conjuntos donde un campo magnético débil sintoniza la corriente mediante modulación de fase de estados interferidos acoplados con plomo separados geométricamente de estados confinados. Luego se emplean potenciales de pared blanda para una conmutación de conductancia eficiente y robusta aislando trayectorias de electrones persistentes, colimadas o desviadas magnéticamente de energÃa de las resonancias de Fano. En una configuración multiterminal, la propiedad de guÃa y enfoque de las secciones lÃmite curvas permite un transporte direccional controlado magnéticamente con ondas de electrones de entrada que fluyen exclusivamente hacia salidas seleccionadas. Junto con un análisis exhaustivo de las caracterÃsticas de transporte y las distribuciones espaciales de los estados de dispersión, los resultados demuestran el diseño asistido geométricamente de elementos de control de magnetoconductancia en el régimen de respuesta lineal. Nota de contenido: Introduction -- Electrons in mesoscopic low-dimensional systems -- Coherent electronic transport: Landauer-Büttiker formalism -- Stationary scattering in planar confining geometries -- Computational quantum transport in multiterminal and multiply connected structures -- Magnetoconductance switching by phase modulation in arrays of oval quantum billiards -- Current control in soft-wall electron billiards: energy-persistent scattering in the deep quantum regime -- Directional transport in multiterminal focusing quantum billiards -- Summary, conclusions, and perspectives. Tipo de medio : Computadora Summary : In this book the coherent quantum transport of electrons through two-dimensional mesoscopic structures is explored in dependence of the interplay between the confining geometry and the impact of applied magnetic fields, aiming at conductance controllability. After a top-down, insightful presentation of the elements of mesoscopic devices and transport theory, a computational technique which treats multiterminal structures of arbitrary geometry and topology is developed. The method relies on the modular assembly of the electronic propagators of subsystems which are inter- or intra-connected providing large flexibility in system setups combined with high computational efficiency. Conductance control is first demonstrated for elongated quantum billiards and arrays thereof where a weak magnetic field tunes the current by phase modulation of interfering lead-coupled states geometrically separated from confined states. Soft-wall potentials are then employed for efficient and robust conductance switching by isolating energy persistent, collimated or magnetically deflected electron paths from Fano resonances. In a multiterminal configuration, the guiding and focusing property of curved boundary sections enables magnetically controlled directional transport with input electron waves flowing exclusively to selected outputs. Together with a comprehensive analysis of characteristic transport features and spatial distributions of scattering states, the results demonstrate the geometrically assisted design of magnetoconductance control elements in the linear response regime. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Control of Magnetotransport in Quantum Billiards : Theory, Computation and Applications [documento electrónico] / Morfonios, Christian V., ; Schmelcher, Peter, . - 1 ed. . - [s.l.] : Springer, 2017 . - X, 252 p. 49 ilustraciones, 48 ilustraciones en color.
ISBN : 978-3-319-39833-4
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Idioma : Inglés (eng)
Palabras clave: Semiconductores Materiales ópticos MicrotecnologÃa Sistemas micro electromecánicos Magnetismo Nanociencia Microsistemas y MEMS NanofÃsica Clasificación: 537.622 Resumen: En este libro se explora el transporte cuántico coherente de electrones a través de estructuras mesoscópicas bidimensionales en dependencia de la interacción entre la geometrÃa confinada y el impacto de los campos magnéticos aplicados, con el objetivo de controlar la conductancia. Después de una presentación detallada de arriba hacia abajo de los elementos de los dispositivos mesoscópicos y la teorÃa del transporte, se desarrolla una técnica computacional que trata estructuras multiterminales de geometrÃa y topologÃa arbitrarias. El método se basa en el ensamblaje modular de los propagadores electrónicos de subsistemas que están interconectados o intraconectados, lo que proporciona una gran flexibilidad en la configuración del sistema combinada con una alta eficiencia computacional. El control de conductancia se demuestra por primera vez para billares cuánticos alargados y sus conjuntos donde un campo magnético débil sintoniza la corriente mediante modulación de fase de estados interferidos acoplados con plomo separados geométricamente de estados confinados. Luego se emplean potenciales de pared blanda para una conmutación de conductancia eficiente y robusta aislando trayectorias de electrones persistentes, colimadas o desviadas magnéticamente de energÃa de las resonancias de Fano. En una configuración multiterminal, la propiedad de guÃa y enfoque de las secciones lÃmite curvas permite un transporte direccional controlado magnéticamente con ondas de electrones de entrada que fluyen exclusivamente hacia salidas seleccionadas. Junto con un análisis exhaustivo de las caracterÃsticas de transporte y las distribuciones espaciales de los estados de dispersión, los resultados demuestran el diseño asistido geométricamente de elementos de control de magnetoconductancia en el régimen de respuesta lineal. Nota de contenido: Introduction -- Electrons in mesoscopic low-dimensional systems -- Coherent electronic transport: Landauer-Büttiker formalism -- Stationary scattering in planar confining geometries -- Computational quantum transport in multiterminal and multiply connected structures -- Magnetoconductance switching by phase modulation in arrays of oval quantum billiards -- Current control in soft-wall electron billiards: energy-persistent scattering in the deep quantum regime -- Directional transport in multiterminal focusing quantum billiards -- Summary, conclusions, and perspectives. Tipo de medio : Computadora Summary : In this book the coherent quantum transport of electrons through two-dimensional mesoscopic structures is explored in dependence of the interplay between the confining geometry and the impact of applied magnetic fields, aiming at conductance controllability. After a top-down, insightful presentation of the elements of mesoscopic devices and transport theory, a computational technique which treats multiterminal structures of arbitrary geometry and topology is developed. The method relies on the modular assembly of the electronic propagators of subsystems which are inter- or intra-connected providing large flexibility in system setups combined with high computational efficiency. Conductance control is first demonstrated for elongated quantum billiards and arrays thereof where a weak magnetic field tunes the current by phase modulation of interfering lead-coupled states geometrically separated from confined states. Soft-wall potentials are then employed for efficient and robust conductance switching by isolating energy persistent, collimated or magnetically deflected electron paths from Fano resonances. In a multiterminal configuration, the guiding and focusing property of curved boundary sections enables magnetically controlled directional transport with input electron waves flowing exclusively to selected outputs. Together with a comprehensive analysis of characteristic transport features and spatial distributions of scattering states, the results demonstrate the geometrically assisted design of magnetoconductance control elements in the linear response regime. Enlace de acceso : https://link-springer-com.biblioproxy.umanizales.edu.co/referencework/10.1007/97 [...] Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond / Wang, Guilei
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